[发明专利]一种调控氧化物缺陷的化学增强SERS基底制备方法在审
| 申请号： | 201811585643.1 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109632763A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 梁培;曹宇;汪柯佳 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物缺陷 调控 化学增强 基底制备 氧化物 衬底 锂粉 制备 水热合成法 材料形貌 空位缺陷 纳米材料 平均粒径 纳米球 氧缺陷 富氧 基底 均一 可控 还原 合成 引入 检测 | ||
1.一种调控氧化物缺陷的化学增强SERS基底制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
步骤(1)，将乙酰丙酮钼溶解于含有无水乙醇、异丙醇、去离子水的混合溶液中，磁力搅拌后形成钼源前驱液；将钼源前驱液转移至具有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，在180摄氏度下密封保温8小时；待冷却至室温，离心、洗涤、干燥后得到MoO2纳米球；
步骤(2)，取步骤(1)中得到的MoO2纳米球，添加分散剂，在氩气保护的手套箱中与锂粉充分研磨半小时，滴加稀盐酸去除生成的锂氧化物，离心、洗涤、干燥后得到富氧缺陷的MoO2-x(0<x<1)粒子；
步骤(3)，化学增强SERS基底制备方法，将步骤(2)中得到的富氧缺陷的MoO2-x(0<x<1)粒子沉积在硅片上；在60摄氏度的真空干燥箱中干燥6小时，得到具有还原调控氧化物缺陷的化学增强SERS基底。
2.如权利要求1所述的一种调控氧化物缺陷的化学增强SERS基底制备方法，其特征在于：步骤(1)中乙酰丙酮钼的量为1mmol。
3.如权利要求1所述的一种调控氧化物缺陷的化学增强SERS基底制备方法，其特征在于：步骤(2)中MoO2纳米球的量为0.5g，锂粉的质量为10-43mg。
4.如权利要求1所述的一种调控氧化物缺陷的化学增强SERS基底制备方法，其特征在于：步骤(2)中锂粉的添加量占MoO2纳米球和锂粉总量的6％(质量)。
5.如权利要求1所述的一种调控氧化物缺陷的化学增强SERS基底制备方法，其特征在于：步骤(2)中分散剂为碳酸二甲酯。
6.如权利要求1所述的一种调控氧化物缺陷的化学增强SERS基底制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的富氧空位缺陷的MoO2-x(0<x<1)粒子为球形，平均粒径为70nm。
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