[发明专利]无线供能柔性发光系统及其无线能量接收端装置制备方法

权利要求书

1.一种无线供能的柔性发光系统，其中，包括：

无线能量发射端装置，用于将电能转换为可在自由空间中传播的电磁波能量；

无线能量接收端装置，用于接收无线能量发射端装置发射的电磁波能量，并将接收到的电磁波能量转换为电能后驱动光源发光；所述能量接收装置包括：

衬底和钝化层，均为柔性材料层；

无线能量接收线圈，包括：

第一层线圈金属，生长于所述衬底上；以及

第二层线圈金属，生长于所述第一层线圈金属上；

第一隔离层，生长于所述衬底上；所述第一隔离层为柔性材料层；所述第一隔离层与所述第一层线圈金属相邻；

第二隔离层，生长于所述第一层线圈金属上，且所述第二层线圈金属通过所述第二隔离层隔断；所述第二隔离层为柔性材料层；以及

LED发光芯片，转移至所述第一隔离层上，且与所述第二层线圈金属相连。

2.根据权利要求1所述的无线供能的柔性发光系统，其中，所述能量接收端装置，还包括：

电容下电极金属层，生长于所述衬底上，且所述第一隔离层同时与所述电容下电极金属层相邻；

电容介质层，生长于所述电容下电极金属层上；

第二电容上电极金属层，生长于所述电容介质层上，且与所述LED发光芯片相连；

第三隔离层，生长于所述电容介质层上，且与所述第二电容上电极金属层相邻；所述第三隔离层为柔性材料层。

3.根据权利要求2所述的无线供能的柔性发光系统，其中，还包括：

肖特基二极管u-GaN，生长于所述第一隔离层上；

第一电容上电极金属层，生长于所述电容下电极金属层上；所述第一电容上电极金属层一端与所述肖特基二极管u-GaN相连；所述第一电容上电极金属层另一端与所述第三隔离层相邻；

肖特基二极管肖特基接触金属，与所述肖特基二极管u-GaN生长于同一所述第一隔离层上，且与所述肖特基二极管u-GaN相连。

4.根据权利要求1所述的无线供能的柔性发光系统，其中，所述LED发光芯片大小为30×30μm²-200×200μm²。

5.根据权利要求1所述的无线供能的柔性发光系统，其中，所述衬底、隔离层和钝化层对应的柔性材料层大小为2×2mm²-4×4mm²，厚度为30μm-200μm。

6.一种无线能量接收端装置制备方法，其中，包括：

步骤S100：在衬底上分别制作第一层线圈金属和图形化的第一隔离层；

步骤S200：在所述第一层线圈金属上制作图形化的第二隔离层；

步骤S300：通过转印法将LED发光芯片转印到所述第一隔离层上；

步骤S400：在所述第一线圈金属层上制作第二层线圈金属；且所述第二层线圈金属与所述LED发光芯片相连；

步骤S500：在所述步骤S400的结构上旋涂钝化层作为保护。

7.根据权利要求6所述的无线能量接收端装置制备方法，其中，

步骤S100中还包括：在所述衬底上制作电容下电极金属层；再在制备好的所述电容下电极金属层上制作电容介质层；

步骤S200中还包括：在所述电容介质层上制作图形化的第三隔离层；

步骤S400中还包括：在所述电容介质层上制作第二电容上电极金属层。

8.根据权利要求6所述的无线能量接收端装置制备方法，其中，

步骤S300中还包括：通过转印法还将肖特基二极管u-GaN转印到第一隔离层上；

步骤S400中还包括：在所述第一隔离层上制作肖特基二极管肖特基接触金属；在所述电容下电极金属层上制作第一电容上电极金属层。