[发明专利]CMP聚合物去除方法

说明书

本发明公开了一种CMP聚合物去除方法，在进行完CMP后，将其残留物做完全氧化，然后再利用标准清洁方式，将残留物缺陷去除。本发明能够减少薄膜损失，增加残留物的去除能力。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种CMP(化学机械研磨)聚合物去除方法。

背景技术

CMP完成后，清洗主要使用稀释HF(氢氟酸)，SC1[氨水(NH4OH)、双氧水(H2O2)和去离子水(DIW)的混合物]进行清洗。28nm以下对于缺陷控管要求提升，CMP残留(化学研磨液或是CMP副产物)去除在HK (高介电系数金属)工艺更为重要。单纯标准的清洁已经无法满足清洁需求。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种CMP聚合物去除方法，能够减少薄膜损失，增加残留物的去除能力。

为解决上述技术问题，本发明的CMP聚合物去除方法，是采用如下技术方案实现的，在进行完CMP后，将其残留物做完全氧化，然后再利用标准清洁方式，将残留物缺陷去除。

由于CMP化学研磨液主要成分为硅，标准清洗液(DHF，SC1)已经无法将其有效去除。采用本发明的方法，能够減少薄膜损失，增加残留物的去除能力。

采用本发明的方法，可以在CMP后直接将残留物氧化或是进行改质，将原本不易去除的有机物(硅聚合物)形成类氧化物，后续只需要DHF(稀氟氢酸)反应将类氧化物进行去除，不需要长时间清洗，减少化学品对薄膜的损失。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是所述CMP聚合物去除方法流程示意图。

具体实施方式

结合图1所示，CMP化学研磨液残留导致后续伪闸极去除能力不佳。 CMP化学研磨液的成份为硅聚合物。

所述CMP聚合物去除方法，是利用氧化还原原理，在进行完CMP后，利用电浆或是进行高温氧化，将其残留物做完全氧化，然后再利用标准清洁方式，将残留物缺陷去除。

所述利用电浆将残留物做完全氧化的方法是：利用等离子体电浆在高温腔体内进行氧化，对CMP后残留物进行表面处理，所述高温腔体内的温度为200～290℃。

所述利用高温氧化将残留物做完全氧化的方法是：将硫酸经过150~190℃预热加上常温双氧水混合后，直接用于硅片表面进行氧化反应。所述硫酸与双氧水的比例为4∶1～9∶1。

采用传统方法，去除CMP后残留物缺陷，会使用不同研磨盘或是增加标准清洗时间来去除残留物。增加标准清洗时间的缺点是使用DHF的时候会因为不同材质薄膜选择比快慢不同，长时间作用下氧化膜与氮化硅膜薄膜损耗差异大，造成硅片表面有明显高度差，造成平坦度不佳，影响后续工艺。而本发明的方法能够減少薄膜损失，增加残留物的去除能力。

以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。