[发明专利]非易失性SRAM数据加密装置有效

专利信息
申请号: 201811586212.7 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN109446849B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 陈权海;原宗庆;庄宇;马力;丛琦;宋红涛 申请(专利权)人: 威海银创微电子技术有限公司
主分类号: G06F21/79 分类号: G06F21/79;G06F21/81
代理公司: 青岛高晓专利事务所(普通合伙) 37104 代理人: 宋文学
地址: 264200 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 非易失性 sram 数据 加密 装置
【说明书】:

发明提供一种非易失性SRAM数据加密装置,包括壳体、SRAM、供电导线和第一电源,所述SRAM、供电导线和第一电源设置于壳体内部,第一电源通过供电导线为SRAM供电,所述供电导线包括与第一电源正极相连的第一导线和与第一电源负极相连的第二导线,所述壳体包括基座和上盖,所述上盖处设有第二电源,所述第二电源包括分别与第二电源正极和负极相连的第一端子和第二端子,上盖与基座闭合时,第一端子和第二端子分别与第一导线和第二导线相连通,所述上盖设有通孔。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案,SRAM芯片的数据保密性高,具有结构简单,加工成本低、生产效率高等优点。

技术领域

本发明涉及电数字数据处理技术领域,具体的是一种非易失性SRAM数据加密装置。

背景技术

SRAM静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种。其特征是,这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory)。

SRAM芯片使用时,一是接入外接电源,二是将电源和SRAM芯片一同封装于壳体当中。其弊端在于,窃密者在窃密时,只需要在保持不破坏电源供电的情况下,打开壳体,即可通过芯片的针脚,读出芯片内的数据,其保密性差。

发明内容

基于SRAM断电后数据消失这一特性,结合物理机构,本发明提供一种数据加密装置。

本发明的技术方案是:

非易失性SRAM数据加密装置,包括壳体、SRAM、供电导线和第一电源,所述SRAM、供电导线和第一电源设置于壳体内部,第一电源通过供电导线为SRAM供电,所述供电导线包括与第一电源正极相连的第一导线和与第一电源负极相连的第二导线,所述壳体包括基座和上盖,所述上盖处设有第二电源,所述第二电源包括分别与第二电源正极和负极相连的第一端子和第二端子,上盖与基座闭合时,第一端子和第二端子分别与第一导线和第二导线相连通,所述上盖设有通孔。

SRAM芯片封装前,壳体内部的基座处设置有独立的第一供电系统,电源为第一电源,第一导线和第二导线均为裸露的导线。与基座相配合的上盖,在闭合时,上盖与基座之间形成了一个密闭的空间,壳体与外界的连通只有数据的输入端、输出端和在上盖上预留的一个通孔。上盖上设有第二电源,在闭合上盖时,第二电源的第一端子和第二端子压到裸露第一导线和第二导线上,第一电源和第二电源并联为SRAM芯片供电。壳体闭合后,通过通孔,利用长杆工具切断第一端子和第二端子之间的第一导线或第二导线,使第一电源失效,SRAM芯片由第二电源独立供电。只要壳体的上盖被打开,第一端子或第二端子就会脱离第一导线、第二导线,SRAM即停止供电,芯片内数据消失,达到保密效果。

通孔的直径为0.5-1.5mm,该直径能防止大部分的现有工具通过通孔对切断的第一导线或第二导线进行重新连接操作。

所述通孔在上盖上表面的开口为第一圆,通孔在上盖下表面的开口为第二圆,第一圆和第二圆的圆心之间的连线为弧线。第一圆和第二圆圆心的水平间距大于第一圆或第二圆的直径。

为进一步防止窃密者通过通孔处对导线进行重新连接操作,通孔采用弧形。设备加工时,用于在通孔处切断导线的工具与弧形的通孔的弧度相配合。切断工具是芯片封装时所使用的特制工装,窃密者很难获得与弧形通孔相匹配的连接工具,进一步增强了保密性。

优选的,通孔的弧形为圆弧,第一导线或第二导线设计用于被破坏的导线段与圆弧所在的圆相交,相配合的切断工具只需要沿通孔向壳体内深入即可接触到设计用于被破坏的导线段,从而将其切断。

供电导线与第一端子或第二端子之间采用焊锡焊接的方式连接。

所述供电导线位于第一端子和第二端子之间且与第一电源相连的部分的下方设有凹槽。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威海银创微电子技术有限公司,未经威海银创微电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811586212.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top