[发明专利]一种多霍尔测试样品的测试夹具、测试控制器及测试方法

说明书

本发明涉及一种多霍尔测试样品的测试夹具、测试控制器及测试方法。该夹具连接于霍尔效应测试仪，夹具上设有多块焊盘，每块焊盘上焊接有一个测试电极对应用于测试一个样品。测试控制器通过金属导线与上述测试夹具的焊盘连接；控制器内部有与焊盘个数对应的4进4出继电器，每个继电器对应用于测试夹具上的一块样品。当测试一个样品时，夹持该样品的焊盘对应连接的测试控制器内继电器吸合，其余继电器断开，此时对该样品进行测试；当测试另一样品时，夹持该另一样品的焊盘对应连接的测试控制器内继电器吸合，其余继电器断开，此时对该另一样品进行测试。以往4块MBE生长GaAs基本征GaAs结构样品霍尔效应测试需2小时，目前仅1小时即可。

技术领域

本发明涉及III-V族化合物半导体薄膜外延材料测试技术，具体涉及一种多霍尔测试样品的测试夹具、测试控制器及测试方法。

背景技术

分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术使得外延生长几十埃甚至单原子层具有界面突变的超晶格结构材料成为可能。8-12μm长波红外波段是空气中相对透明的非常重要的大气窗口，工作波长介于这一波段的激光器和探测器在民用和军事的很多领域都有极其重要的作用。当前红外焦平面器件已发展到以大面阵、多色等定义的第三代，以GaAs/AlGaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族量子阱红外探测器(QWIP)得到了重要的应用，GaAs/AlGaAsQWIP及其焦平面阵列(FPA)可以工作于长波和远红外波段，受到了广泛的重视。

GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器是当前红外材料和器件领域的研究热点之一。

利用MBE生长GaAs材料是在非热平衡条件下进行的，主要受喷射分子或原子与衬底表面的动力学反应过程所控制，具体包括：喷射到衬底表面上的分子或原子的吸附→被吸附分子的表面迁移和分解→组分原子结合进入外延层的晶格中→未结合进晶格的分子或原子的热脱附等一系列过程。

影响MBE生长过程的参数主要有衬底生长温度、生长速度和Ⅴ/Ⅲ束流比等。目前在测试MBE生长GaAs基本征GaAs结构时，一般采用霍尔效应测试来表征材料背景浓度，这种材料的电阻率偏高，大约是7×10⁵Ω.cm，在进行霍尔效应测试时，由于光生载流子效应对测试结果有极大影响，需要对样品进行15分钟左右的光屏蔽，才能对材料进行测试，由此导致测试效率低下。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术中的上述不足，提供一种可提高霍尔效应测试效率的技术方案。

第一方面，本发明提供了一种多霍尔测试样品的测试夹具，连接于霍尔效应测试仪，该夹具上设有多块焊盘，每块焊盘上焊接有一个测试电极对应用于测试一个样品。

可选或优选的，上述测试夹具，多块焊盘之间为并连电路关系。

可选或优选的，上述测试夹具，多块焊盘的排列方式为一列排开、矩阵式或上下层叠式。

可选或优选的，上述测试夹具，所述焊盘数量为1-12块。

第二方面，本发明提供了一种多霍尔测试样品的测试控制器，该测试控制器通过金属导线与权利要求1所述的测试夹具的焊盘连接；所述控制器内部有与焊盘个数对应的4进4出继电器，每个继电器对应用于测试夹具上的一块样品。

可选或优选的，上述测试控制器，所述继电器为4进4出继电器。

上述测试控制器分别与电压表、电流源和计算机电连接。

第三方面，本发明提供了一种多霍尔测试样品的测试方法，使用含有上述测试控制器的霍尔效应测试仪，当测试一个样品时，夹持该样品的焊盘对应连接的测试控制器内继电器吸合，其余继电器断开，此时对该样品进行测试；当测试另一样品时，夹持该另一样品的焊盘对应连接的测试控制器内继电器吸合，其余继电器断开，此时对该另一样品进行测试。