[发明专利]一种窄边框触摸面板与制造方法有效

专利信息
申请号: 201811586981.7 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN109491546B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 祐卫国 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 边框 触摸 面板 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种触摸面板的电路走线制造方法,其特征在于:

所述触摸面板包括:

复数条相应的上层电路走线和下层电路走线;

氧化铟锡(Indium Tin oxide,ITO)层以及第一ITO通道和第二ITO通道;

复数个绑定电极设置于绑定区域;

复数个过孔,所述过孔用于电连接相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线、电连接相应的所述上层电路走线与所述ITO通道、电连接相应的所述上层电路走线与所述绑定电极、电连接相应的所述下层电路走线与所述绑定电极;

其中相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线以绝缘介质层相隔的方式交替设置,所述复数个过孔设置于所述绝缘介质层中,相应的所述下层电路走线直接与所述ITO通道电连接,在所述触摸面板的可视区域边缘处的所述下层电路走线直接与所述触摸面板的可视区域边缘处对应的所述第一ITO通道电连接,在所述触摸面板的可视区域边缘处的所述上层电路走线与所述下层电路走线在空间上重叠的区域,所述上层电路走线通过相应的所述过孔穿过所述绝缘介质层与所述第二ITO通道电连接;

其中,在所述绑定区域中,所述上层电路走线与所述第二ITO通道通过对应的所述过孔与所述相应的所述绑定电极电连接,所述下层电路走线与所述第一ITO通道通过对应的所述过孔与相应的所述绑定电极电连接;

所述触摸面板的电路走线制造方法包括:

使用第一掩膜(Mask)进行所述ITO层的整面图案化制程;

使用第二掩膜进行所述复数条下层电路走线的图案化制程;

使用第三掩膜进行复数条相应的所述上层电路走线和所述下层电路走线之间的所述复数个过孔的图案化制程;

使用第四掩膜进行所述复数条上层电路走线的图案化制程;

使用第五掩膜进行所述第一ITO通道的ITO桥过孔的图案化制程;

使用第六掩膜进行所述第二ITO通道的ITO桥接电路的图案化制程。

2.根据权利要求1所述的触摸面板的电路走线制造方法,其特征在于,所述上层电路走线、所述下层电路走线与所述复数个过孔是以金属材料制成,所述ITO桥接电路是以ITO材料制成。

3.根据权利要求1所述的触摸面板的电路走线制造方法,其特征在于,所述触摸面板为电容式的触摸面板。

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