[发明专利]正入射式共面电极光电芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种正入射式共面电极光电芯片，其特征在于：所述芯片上开设主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；

所述芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述收光区的外侧，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘设置；

以所述芯片的正面为入光侧，所述主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从所述收光区进入到所述吸收层内进行光电转换。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：还包括顶层，所述顶层位于所述吸收层正面的一侧；所述顶层内设有光敏区；所述光敏区的内端与所述吸收层相连接，所述光敏区的外端与所述第一电极相连接；所述收光区与所述光敏区有重叠区域；所述主光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于：还包括衬底，所述衬底位于所述吸收层的背面一侧；所述衬底和所述吸收层之间还设有缓冲层，所述第二电极与所述缓冲层相连接；所述主光槽的内端位于所述缓冲层。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于：所述芯片上还开设电极安装槽，所述电极安装槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层和所述吸收层，所述第二电极设于所述电极安装槽内。

5.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于：所述收光区内设有入光增透膜，所述主光槽的内端设有透光增透膜。

6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面设有出光增透膜，所述出光增透膜的面积大于所述主光槽沿平行于所述芯片表面方向的横截面积。

7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面还设有反光层，所述反光层上开设有用于设置所述出光增透膜的出光增透膜孔，所述反光层有反光材料制成。

8.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述主光槽贯穿所述芯片的部分或全部。

9.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于：所述光敏区沿平行于所述芯片表面方向的横截面呈环形并围绕所述主光槽设置，所述收光区呈环形并围绕所述主光槽设置，所述第一电极沿平行于所述芯片表面方向的横截面呈环形并围绕所述收光区设置。

10.一种正入射式共面电极光电芯片的制备方法，其特征在于：包括：

形成吸收层；

在所述芯片上开设主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向开口并贯穿所述吸收层；

在所述芯片的正面形成收光区；

在所述芯片的正面制作第一电极，所述第一电极位于所述收光区的外侧；

在所述芯片的正面制作第二电极，所述第二电极与所述第一电极相互绝缘设置。