[发明专利]一种深度低共熔溶剂辅助合成石墨烯封装Ni2

权利要求书

1.一种制备石墨烯封装Ni₂P材料的方法，包括：在磷源存在的条件下，将深度低共熔溶剂焙烧，即得；

所述磷源为次磷酸钠或磷酸二氢钠；

所述焙烧步骤中，温度为200~700 ℃；时间为4~24 h；焙烧气氛为惰性气氛；

所述深度低共熔溶剂由3d过渡金属化合物与碳源材料混合而得；

所述3d过渡金属化合物为氯化镍；

所述氯化镍为有结晶水的氯化镍和/或无结晶水的氯化镍；

所述碳源材料为羧酸和/或醇；

所述羧酸为甲酸、乙酸、乙二酸或丙二酸；

所述醇为甲醇、乙醇、乙二醇、丙三醇或聚乙二醇200；

所述氯化镍与碳源材料的摩尔比为1:1~20；

所述混合步骤中，温度为20~150℃；时间为5-60min。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述惰性气氛为氮气气氛。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述方法还包括：在所述焙烧之前，将所述深度低共熔溶剂升温至焙烧温度；

在所述焙烧之后，将所得产物冷却；所述冷却步骤中，冷却方式为自然冷却。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述升温步骤中，升温速率为1-10℃·min^-1。

5.权利要求1-4任一所述方法制备得到的石墨烯封装Ni₂P材料。

6.根据权利要求5所述的石墨烯封装Ni₂P材料，其特征在于：所述石墨烯封装Ni₂P材料由石墨烯和Ni₂P组成；所述Ni₂P被所述石墨烯封装；

所述石墨烯封装Ni₂P材料的表观形态为纳米片或纳米粒子；

所述纳米片的厚度为4~50 nm；所述纳米粒子的直径为5-100nm；

石墨烯层的厚度为2-30个原子层厚度。

7.权利要求5或6所述石墨烯封装Ni₂P材料作为催化剂在电催化中的应用。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于：所述电催化为电催化析氢或析氧。