[发明专利]正入射式多单元光电芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种正入射式多单元光电芯片，其特征在于：包括多个分光单元，每个所述分光单元包括分光槽、吸光区和第一电极；所述分光槽贯穿所述芯片的吸收层；所述吸光区和所述第一电极均设于所述芯片的正面，并所述第一电极位于所述吸光区的外侧；

以所述芯片的正面为入光侧，每束入射光射向对应的所述分光单元，每束入射光的一部分从对应的所述分光单元的分光槽透射分出，每束入射光的另一部分从对应的所述分光单元的吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：每个所述分光单元还包括光敏区，所述光敏区设于所述芯片的顶层；所述光敏区的内端位于所述吸收层，所述光敏区的外端与对应的所述第一电极相连接；所述光敏区与对应的所述吸光区有重叠区域；

多个所述分光单元共用所述顶层和所述吸收层，多个所述分光单元的光敏区间隔设置，各个所述分光单元的光敏区通过对应一个所述第一电极输出光电转换信号。

3.根据权利要求1所述芯片，其特征在于：所述芯片的正面上还设有多个与所述分光单元一一对应的电极焊盘，每个所述分光单元的第一电极通过电极连接线与对应的所述电极焊盘相电连接；

多个所述分光单元的第一电极之间相互绝缘设置，多个所述电极焊盘之间相互绝缘设置，多个所述电极连接线之间相互绝缘设置。

4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述芯片的背面设有第二电极，所述第二电极与所述芯片的衬底相连接。

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于：所述衬底和所述吸收层之间设有缓冲层，所述分光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层，所述分光槽的内端位于所述缓冲层。

6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述吸光区内设有入光增透膜。

7.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于：所述分光槽的内端设有透光增透膜；所述芯片的背面设有出光增透膜，所述出光增透膜的面积大于所述透光增透膜的面积。

8.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述分光槽贯穿所述芯片的部分或全部。

9.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于：所述光敏区沿平行于所述芯片表面方向的横截面呈环形并围绕所述分光槽设置，所述吸光区呈环形并围绕所述分光槽设置，所述第一电极沿平行于所述芯片表面方向的横截面呈环形并围绕所述吸光区设置。

10.一种正入射式多单元光电芯片的制备方法，其特征在于：包括：

形成吸收层；

在所述芯片上开设多个分光槽，每个所述分光槽贯穿所述吸收层；

在所述芯片的正面形成多个吸光区，每个所述吸光区与所述分光槽一一对应；

在所述芯片的正面制作多个第一电极，每个所述第一电极与所述吸光区一一对应，每个所述第一电极位于对应的所述吸光区的外侧。