[发明专利]半导体装置和显示装置在审
申请号: | 201811588049.8 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN110021639A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 石山雄一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本有机雷特显示器 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李雪春;王维玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 有机绝缘材料 半导体装置 半导体元件 导体 显示装置 | ||
本技术提供一种半导体装置,其具备基板和设置在基板上的半导体元件。基板包括有机绝缘材料和分散在有机绝缘材料中的多个微导体。
技术领域
本技术涉及一种在基板上具有半导体元件的半导体装置,以及使用该半导体装置的显示装置。
背景技术
近些年,薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)等半导体元件应用于各种领域的电子设备(例如,参照专利文献1)。半导体元件例如设置在基板上。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-49568号公报
发明内容
在包括基板和半导体元件的半导体装置中,期望能够防止薄膜晶体管等半导体元件的特性降低。
期望提供一种可以防止半导体元件的特性降低的半导体装置,以及使用该半导体装置的显示装置。
本技术的一种实施方式的半导体装置具备:基板,包括有机绝缘材料和分散在有机绝缘材料中的多个微导体;以及半导体元件,设置在基板上。
本技术的一种实施方式的显示装置具备:基板,包括有机绝缘材料和分散在有机绝缘材料中的多个微导体;半导体元件,设置在基板上;以及显示元件层,设置在半导体元件上且包括多个像素。
在本技术的一种实施方式的半导体装置和显示装置中,因为基板包括微导体,所以通过基板可以屏蔽波及半导体元件的电场。
根据本技术的一种实施方式的半导体装置和显示装置,因为基板包括微导体,所以能够通过基板抑制电场对半导体元件的影响。因此,能够防止半导体元件的特性降低。再有,不一定限定于这里所记载的效果,也可以是本公开中记载的任何一个效果。
附图说明
图1是本技术的一种实施方式的显示装置的概略结构的截面示意图。
图2是图1所示的半导体装置的结构的截面图。
图3是用于说明图1所示的显示装置的布线结构的平面模式图。
图4A是图1所示的显示装置的制造方法的一个工序的截面示意图。
图4B是继图4A之后的一个工序的截面示意图。
图4C是继图4B之后的一个工序的截面示意图。
图5是具有电场屏蔽层的半导体装置的概略结构的截面示意图。
图6是用于说明图5所示的电场屏蔽层的功能的截面模式图。
图7是用于说明图1所示的微导体的作用的截面模式图。
图8是变形例1的半导体装置的概略结构的截面示意图。
图9是变形例2的半导体装置的概略结构的截面示意图。
图10是图9所示的半导体装置的其他例子的截面示意图。
图11A是变形例3的半导体装置的概略结构的截面示意图。
图11B是图11A所示的基板和布线层的结构的平面示意图。
图12是用于说明图11A所示的基板的形成方法的一个例子的截面模式图。
图13是表示显示装置的功能结构的方框图。
图14是表示摄像装置的结构的方框图。
图15是表示电子设备的结构的方框图。
附图标记说明
1 显示装置
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的