[发明专利]存储器单元及形成存储器单元的方法

说明书

本申请案涉及存储器单元及形成存储器单元的方法。可编程电荷存储晶体管包括沟道材料、绝缘电荷通道材料、电荷存储材料、控制栅极，及所述电荷存储材料与所述控制栅极之间的电荷阻挡材料。所述电荷阻挡材料包括非铁电绝缘体材料及铁电绝缘体材料。揭示存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列，包含形成此存储器单元的竖向延伸的存储器单元串阵列的方法。揭示其它实施例，包含方法。

技术领域

本文揭示的实施例涉及可编程电荷存储晶体管，涉及竖向延伸的存储器单元串阵列，以及涉及形成竖向延伸的存储器单元串阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路，并且在计算机系统中用于存储数据。存储器可以一或多个的个别存储器单元阵列制造。可使用数字线(也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(也可称为字线)来写入或读取存储器单元。感测线可沿着阵列的列导电地互连存储器单元，并且存取线可沿着阵列的行导电地互连存储器单元。可通过感测线及存取线的组合唯一地寻址每一存储器单元。

存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在没有电力的情况下长时间存储数据。常规地将非易失性存储器指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器消散，且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元经配置以呈至少两种不同的可选状态保留或存储存储器。在二进制系统中，状态被认为是“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个级别或状态的信息。

场效应晶体管是可用在存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，其间具有半导体沟道区。导电栅极邻近沟道区并通过薄栅极绝缘体从那里分离。向栅极施加合适电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流到另一者。当从栅极移除电压时，很大程度上防止电流流过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如可逆可编程电荷存储区，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分。

闪存是一种类型的存储器，并且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储在闪存芯片上的BIOS。作为另一个实例，计算机及其它装置越来越普遍地利用固态驱动器中的闪存来代替常规硬盘驱动器。作为又一实例，闪存在无线电子装置中很流行，因为其使制造商能够在其变得标准化时支持新的通信协议，并且提供远程升级装置用于增强的特征的能力。

NAND可为集成闪存的基本架构。NAND胞单元包括至少一个选择装置，其串联耦合到存储器单元的串联组合(串联组合通常被称为NAND串)。NAND架构可以三维布置来配置，所述三维布置包括竖直堆叠的存储器单元，其个别地包括可逆编程竖直晶体管。

可编程场效应晶体管的电荷存储区通过至少向导电栅极施加合适相应编程及擦除电压来编程(通过在其中存储电荷而写入)并擦除(移除所存储的电荷)。期望更高的编程及擦除电压，因此与更低的电压相比可提供更多的保证，即实现期望的效果(即，编程或擦除)，并且可减少编程及/或擦除的时间。

发明内容

一方面，本申请案涉及一种可编程电荷存储晶体管，其包括：沟道材料；绝缘电荷通道材料；电荷存储材料；控制栅极；及电荷阻挡材料，其在所述电荷存储材料与所述控制栅极之间，所述电荷阻挡材料包括：非铁电绝缘体材料；及铁电绝缘体材料。

另一方面，本申请案涉及一种可编程电荷存储晶体管，其包括：沟道材料，其垂直延伸或在垂直的10°内延伸；绝缘电荷通道材料；电荷存储材料；控制栅极；及电荷阻挡材料，其在所述电荷存储材料与所述控制栅极之间，所述电荷阻挡材料包括：非铁电绝缘体材料；铁电绝缘体材料；且所述铁电绝缘体材料与所述非铁电绝缘体材料彼此直接抵靠，所述铁电绝缘体材料比所述非铁电绝缘体材料更薄。