[发明专利]一种用于超高频标签模块的电压限制电路模组

权利要求书

1.一种用于超高频标签模块的电压限制电路模组，其特征在于：包括上电复位电路、带隙基准源电路、电压调节器和电压限制电路，

所述上电复位电路的输入端外接电压倍增器的输出端，所述电压限制电路并联在上电复位电路的输入、输出端之间，所述上电复位电路的输出端分别与带隙基准源电路、电压调节器的输入端相连接，所述带隙基准源电路、电压调节器的输出端分别与电压限制电路的输入端相连接，构成闭环电路，

所述电压限制电路用于限制电压倍增器输出后的电压，所述带隙基准源电路用于给电压限制电路提供基准电压，所述电压调节器用于给电压限制电路提供工作的负载电流。

2.根据权利要求1所述的一种用于超高频标签模块的电压限制电路模组，其特征在于：所述电压限制电路，包括结型场效应管M1-M8、电流表A1，

所述结型场效应管M1的栅极与电压调节器的输出端相连接，所述结型场效应管M1的漏极与结型场效应管M3的漏极相连接，所述结型场效应管M3、M4、M5的源极共同与上电复位电路的输入端相连接，所述结型场效应管M3、M4的栅极共同连接，所述结型场效应管M4的漏极分别与结型场效应管M2的漏极、结型场效应管M5的漏极、结型场效应管M6的栅极相连接，所述结型场效应管M5的漏极还通过电容C1与地相连接，所述结型场效应管M5的栅极与上电复位电路的输出端相连接，所述上电复位电路的输出端分别与结型场效应管M6的源极、电阻R1的一端、结型场效应管M8的漏极相连接，所述结型场效应管M7的栅极与带隙基准源电路的输入端相连接，所述结型场效应管M7的源极通过电阻R2与地相连接，所述结型场效应管M7的源极还与结型场效应管M8的栅极相连接，所述结型场效应管M8的源极与相连接，所述电阻R1的另一端通过电阻R3与地相连接，所述电阻R1和电阻R3的连接出与结型场效应管M2的栅极相连接。

3.根据权利要求2所述的一种用于超高频标签模块的电压限制电路模组，其特征在于：所述结型场效应管M1、M2、M7、M8均为N沟道结型场效应管，所述结型场效应管M3、M4、M5、M6均为P沟道结型场效应管。

4.根据权利要求1所述的一种用于超高频标签模块的电压限制电路模组，其特征在于：所述带隙基准源电路为CMOS带隙基准源电路。

5.根据权利要求4所述的一种用于超高频标签模块的电压限制电路模组，其特征在于：所述CMOS带隙基准源电路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、晶体管T1、晶体管T2和运算放大器U1，

所述MOS管Q1、Q2、Q3的源极分别与供电电压Vdd相连接，所述MOS管Q1、Q2、Q3的基极共同连接，并与运算放大器U1的输出端相连接，所述MOS管Q1的漏极通过电阻R4与地相连接，所述MOS管Q1的漏极还通过电阻R5与晶体管T1的发射极相连接，所述晶体管T1的基极、集电极共同与地相连接，所述运算放大器U1的反向输入端与MOS管Q1的漏极相连接，所述MOS管Q2的漏极通过电阻R8与地相连接，所述MOS管Q2的漏极还通过电阻R6与晶体管T2的发射极相连接，所述晶体管T2的基极、集电极与地相连接，所述运算放大器U1的正向输入端与MOS管Q2的漏极相连接，

所述MOS管Q3的漏极通过电阻R7与地相连接，所述MOS管Q3的漏极做为带隙基准源电路的输出端与电压限制电路的基准电压输入端相连接，所述带隙基准源电路的输出端还通过电容C2与地相连接。

6.根据权利要求5所述的一种用于超高频标签模块的电压限制电路模组，其特征在于：所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3均为PMOS管，所述晶体管T1、晶体管T2均为PNP型晶体管。

7.权利要求1所述的一种用于超高频标签模块的电压限制电路模组，其特征在于：所述电压调节器内设置有嵌入式电流前馈缓冲区反馈单元，用于给电压限制电路提供工作的负载电流1-60μA，输出电压为1.2-1.4V之间。