[发明专利]一种异质结双极晶体管发射极结构和发射极的薄化方法有效
| 申请号： | 201811589623.1 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109817701B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 颜志泓;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 杨依展;张迪 |
| 地址： | 362343 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 双极晶体管 发射极 结构 方法 | ||
1.一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，其特征在于：所述异质结双极晶体管发射极包括：由下至上层叠设置的基电极层、发射极层、发射极盖帽层；其特征在于：所述发射极层和发射极盖帽层之间还具有由上至下层叠设置的第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层；所述第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层对不同蚀刻液的选择蚀刻比不相同；
薄化过程包括如下步骤：
1）在发射极盖帽层上沉积发射极金属后，蚀刻发射极盖帽层；
2）蚀刻第一蚀刻停止层，第二蚀刻停止层不受影响；
3）蚀刻第二蚀刻停止层和发射极盖帽层，第一蚀刻停止层不受影响；
4）蚀刻第一蚀刻停止层和发射极层，第二蚀刻停止层不受影响；
5）在基电极层沉积基电极金属。
2.根据权利要求1所述的一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，其特征在于：在步骤1和3中，选用的蚀刻液相同。
3.根据权利要求2所述的一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，其特征在于：在步骤1和3中，选用的蚀刻液为氨水基醋酸。
4.根据权利要求1所述的一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，其特征在于：在步骤2和4中，选用的蚀刻液相同。
5.根据权利要求4所述的一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，其特征在于：在步骤2和4中，选用的蚀刻液为盐酸基酸液。
6. 根据权利要求4所述的一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，其特征在于：所述第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层的材料包括但不限于：InGaP和GaAs，或者AlGaAs和GaAs，或者InP和InGaAs，或者InP和InGaAsP，或者 InP和InAlAs，或者 InAlAs和InGaAs，或者InAlP和GaAs。
7.根据权利要求1所述的一种异质结双极晶体管发射极的薄化方法，其特征在于：所述异质结双极晶体管为砷化镓基或磷化铟基化合物异质结双极晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州三安半导体科技有限公司，未经泉州三安半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811589623.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：超级结深沟槽填充方法
- 下一篇：具有垂直沟道的半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
