[发明专利]一种半导体消除内应力的方法

权利要求书

1.一种半导体消除内应力的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将半导体元件的一面固定在陶瓷板的内表面上，并在半导体元件的另一面覆盖保护膜；

(2)对陶瓷板的外表面进行第一次热处理，使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至130～160℃；然后，对陶瓷板的外表面进行第二次热处理，使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至190～210℃；

(3)对步骤(2)中的陶瓷板外表面进行降温，降温速度为3～7℃/min，至陶瓷板外表面的温度降至常温；

(4)去除半导体元件表面覆盖的保护膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，第一次热处理和第二次热处理均采用卤素灯照射陶瓷板的外表面。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，第一次热处理使陶瓷板的外表面经过10～30分钟升温至150℃；第二次热处理使陶瓷板的外表面经过5～10分钟升温至200℃。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，第一次热处理使陶瓷板的外表面经过15～20分钟升温至150℃；第二次热处理使陶瓷板的外表面经过6～8分钟升温至200℃。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(3)中的降温速度为5℃/min。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中半导体元件的一面通过粘接固定在陶瓷板上。