[发明专利]一种石墨烯的制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供生长衬底，且所述生长衬底具有生长表面；

提供固态氧源，并使所述固态氧源与所述生长表面之间具有间距；以及

提供石墨烯生长气体，并使所述固态氧源提供氧源，以基于所述石墨烯生长气体及所述氧源于所述生长表面上生长石墨烯。

2.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述生长衬底的材料包括金属，所述固态氧源的材料包括氧化物，所述氧化物包括所述金属所含元素的氧化物。

3.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述生长衬底的材料包括铜、镍以及铂中的至少一种；所述固态氧源的材料包括铜的氧化物，所述铜的氧化物包括氧化铜以及氧化亚铜中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述生长衬底包括线状衬底、泡沫状衬底、箔片状衬底以及薄膜状衬底中的至少一种；所述固态氧源的形态包括粉状氧源以及薄膜状氧源中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述固态氧源与所述生长表面之间的间距介于10μm-100cm之间。

6.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述固态氧源的设置方式包括所述固态氧源设置于所述生长衬底的侧部、所述固态氧源与所述生长表面相对设置以及所述固态氧源环绕所述生长衬底设置中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述石墨烯的成核密度通过所述固态氧源的质量、所述固态氧源的形态以及所述固态氧源与所述生长表面之间的间距中的至少一者控制；所述石墨烯生长气体包括氩气及氢气中的至少一种，所述石墨烯的成核密度通过所述石墨烯生长气体的组成成分以及各所述成分的含量中的至少一者控制。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，通过所述固态氧源提供所述氧源的方式包括对所述固态氧源进行加热。

9.根据权利要求8所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，提供所述石墨烯生长气体前还包括步骤：将所述生长衬底及所述固态氧源置于同一反应腔室中，向所述反应腔室中通入所述石墨烯生长气体以提供所述石墨烯生长气体，并对所述反应腔室进行加热，以使得所述固体氧源提供所述氧源，并使得基于所述石墨烯生长气体及所述氧源生长所述石墨烯。

10.根据权利要求9所述的石墨烯的制备方法，其特征在于，所述反应腔室包括石英管式炉；对所述反应腔室进行加热的加热温度介于700℃-1100℃之间；所述石墨烯的成核密度通过对所述反应腔室进行加热的加热时间及加热温度中的至少一者进行控制。