[发明专利]一种异性堆叠石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201811592551.6 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109987597B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈达;李久荣;王刚;赵梦晗;胡绪瑞;朱伟 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 丁少华 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异性 堆叠 石墨 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤①：准备绝缘或半导体的衬底；
步骤②：在衬底的表面制备层状分布的镍层和掺杂碳源层，并且使得镍层和掺杂碳源层直接接触；
步骤③：对掺杂碳源层进行加热退火，使得碳融入到镍层中，然后进行降温，使得镍层的一侧生长掺杂石墨烯，另一侧生长纯石墨烯；
步骤④：退火蒸发镍层，使得掺杂石墨烯和纯石墨烯呈层状分布且相互接触；
步骤③中，掺杂碳源层的加热温度为800-900℃，并在800-900℃下保温2-15min，降温速率为25-30℃/min；
步骤②中，掺杂碳源层包括碳源层和掺杂层，碳源层位于掺杂层和镍层之间；
步骤②中，衬底的表面先旋涂掺杂液体形成掺杂层，再旋涂碳源液体形成碳源层，最后在碳源层表面电子束蒸发Ni形成镍层，形成衬底、掺杂层、碳源层和镍层的层状分布结构。
2.根据权利要求1所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：步骤④完成后重复步骤②、步骤③和步骤④。
3.根据权利要求1所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：所述掺杂碳源层中的掺杂元素为N、S、P和B中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的异性堆叠石墨烯的制备方法，其特征在于：所述碳源液体为PMMA。
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