[发明专利]像素界定结构及其制备方法、显示基板及显示装置有效
申请号: | 201811592658.0 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN111370443B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 林杰 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 曾银凤 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 界定 结构 及其 制备 方法 显示 显示装置 | ||
1.一种像素界定结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
获取衬底基板,所述衬底基板的一侧上附有电极层;
在所述电极层上加入有机绝缘材料以形成有机膜层,所述有机膜层包括若干像素区和若干非像素区,之后在所述像素区加入蚀刻液以在所述像素区上形成像素坑,对应在所述非像素区上形成像素界定层前体;
先对所述像素界定层前体进行预热,以使所述蚀刻液挥发,再对所述像素界定层前体进行烘烤,以在所述非像素区上形成像素界定层。
2.根据权利要求1所述的像素界定结构的制备方法,其特征在于,所述蚀刻液选自四氢呋喃和甲苯中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的像素界定结构的制备方法,其特征在于,所述蚀刻液为四氢呋喃和甲苯的混合液,所述四氢呋喃和所述甲苯的质量比为4:1-2:3。
4.根据权利要求1所述的像素界定结构的制备方法,其特征在于,在所述像素区加入蚀刻液的步骤包括:在所述像素区滴加若干相邻的蚀刻液滴。
5.根据权利要求1所述的像素界定结构的制备方法,其特征在于,在所述像素区加入蚀刻液的步骤之后且在所述非像素区上形成像素界定层前体之前,还包括对所述衬底基板进行预热的步骤。
6.根据权利要求5所述的像素界定结构的制备方法,其特征在于,在对所述衬底基板进行预热的步骤包括:对所述衬底基板进行第一次预热,然后在所述像素区再次加入蚀刻液,再对所述衬底基板进行第二次预热。
7.根据权利要求1-6任一项所述的像素界定结构的制备方法,其特征在于,所述预热是通过对所述衬底基板进行加热,由所述衬底基板将热量传递至所述像素界定层前体。
8.一种像素界定结构,其特征在于,所述像素界定结构采用权利要求1-7任一项的制备方法制得。
9.一种显示基板,其特征在于,包括权利要求8所述的像素界定结构。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的