[发明专利]硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法及测试网版

权利要求书

1.一种硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法，其特征在于：

选取硅片，所述硅片区分为第一部分与第二部分，在第二部分的一侧表面进行金属化；

清洗硅片，去除表面金属相并使得硅片表面的金属化界面向外暴露，分别测试得到第一部分的复合电流密度J0_test1及第二部分的复合电流密度J0_test2，得算式如下：

J0_test1＝J0_s1+J0_s2

其中，J0_s1、J0_s2分别为第一部分两侧表面的复合电流密度，其中，J0_s1＝J0_test1/n，n＞1；

J0_test2＝f_metal*J0_me-Si+(1-f_metal)*J0_s1+J0_s2

其中，J0_me-Si为第二部分表面金属化界面的复合电流密度，f_metal为第二部分一侧表面的金属化面积占比，将前述J0_s1、J0_s2分代入上式即可得到硅片表面金属化界面的复合电流密度J0_me-Si。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述金属化步骤是指在所述第二部分的一侧表面印刷浆料，再烧结制得具有既定图案的栅线。

3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于：所述栅线的宽度设置为5～300μm，相邻所述栅线的间距设置为0.5～5mm。

4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述测试方法还包括对所选取的硅片进行钝化，所述钝化步骤包括在硅片两侧表面分别制备正表面膜与背表面膜。

5.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于：所述正表面膜包括贴近所述硅片表面的正面钝化膜；所述背表面膜包括贴近所述硅片表面的背面钝化膜，所述正面钝化膜与背面钝化膜两者的膜层结构相一致，则有J0_s1＝J0_s2＝J0_test1/2。

6.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于：所述正表面膜与背表面膜均包括层叠设置的AlO_x膜层与SiN_x膜层，且所述SiN_x膜层位于AlO_x膜层背离硅片的一侧。

7.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于：所述测试方法还包括在第二部分的一侧表面利用激光开槽，得到若干间隔排布且贯穿所述正表面膜或背表面膜的窗口；在所述窗口位置定位印刷浆料、烧结得到相应的栅线。

8.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于：所述窗口的宽度介于15～200μm，且相邻所述窗口的间距设置为0.3～5mm。

9.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于：若干所述窗口平行间隔设置且相邻所述窗口的间距为900μm，所述窗口的宽度设置为30μm。

10.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于：所述激光开槽步骤包括在硅片的一侧表面开设至少三个呈非线性排布的定位点。

11.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述硅片的电阻率设置为不小于10Ω·cm。

12.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述第一部分与第二部分相邻分布且沿所述硅片的中心线对称设置。