[发明专利]一种沟槽型VDMOS的元胞版图结构

权利要求书

1.一种沟槽型VDMOS的元胞版图结构，其特征在于，包括至少一个元胞，所述元胞包括：

若干个并联设置的源区；

沟槽，环绕每个所述源区设置，所述沟槽用于形成栅极结构，所述沟槽的边界和所述源区的边界重合，以限定所述元胞的沟道；

其中，所述源区的边界上设置有向所述沟槽方向延伸的凸出结构，以增加所述元胞的沟道的周长。

2.根据权利要求1所述的元胞版图结构，其特征在于，所述源区的至少一个边界上设置有若干相互间隔的凸出结构并且所述凸出结构并非贯穿所述沟槽，以使所述源区的边界呈凹凸不平的形状。

3.根据权利要求1所述的元胞版图结构，其特征在于，所述源区的至少一个边界上设置有贯穿所述沟槽的所述凸出结构，以将所述沟槽隔断并使所述源区与其相邻的至少另一个源区通过所述凸出结构相连通。

4.根据权利要求1所述的元胞版图结构，其特征在于，所述源区的侧壁轮廓为竖直平面或弯曲面。

5.根据权利要求1所述的元胞版图结构，其特征在于，所述凸出结构的侧壁的轮廓为竖直平面，或所述凸出结构的至少一个侧壁的轮廓为弯曲面。

6.根据权利要求1所述的元胞版图结构，其特征在于，所述凸出结构在水平面上的投影形状为方形或台阶形，或所述凸出结构在水平面上的投影的轮廓为曲线。

7.根据权利要求1所述的元胞版图结构，其特征在于，所述凸出结构设置于所述源区的至少一边上的中间位置，和/或所述凸出结构设置于所述源区的至少一边上的端部上。

8.根据权利要求1所述的元胞版图结构，其特征在于，在每个源区相对的两个边上各设置有一个所述凸出结构；和/或所述凸出结构位于所述源区的对角线的端部上；和/或所述凸出结构位于所述源区的一条边的两个端部上。

9.根据权利要求1所述的元胞版图结构，其特征在于，每个所述源区被单独的所述沟槽环绕，或相邻的所述源区共用部分所述沟槽。

10.根据权利要求1所述的元胞版图结构，其特征在于，所述元胞结构包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括本体层和位于所述本体层之上的外延层；

所述沟槽，位于所述外延层中；

体区，位于所述沟槽两侧的所述外延层中；

第一源漏区，位于所述体区内，所述第一源漏区的掺杂离子导电类型与所述体区的掺杂离子导电类型相同；

第二源漏区，位于所述沟槽两侧的所述体区之上，所述第二源漏区的掺杂离子导电类型与所述体区的掺杂离子导电类型相反；

栅极结构，填充于所述沟槽内部；

层间介电层，位于所述第二源漏区和所述栅极结构之上；

接触孔，位于所述源区内的所述层间介电层中，并延伸至所述第二源漏区和部分所述第一源漏区。