[发明专利]一种COB封装及其制备方法有效
| 申请号： | 201811593436.0 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109817789B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈智波;苏佳槟;马丽诗;林晓敏 | 申请（专利权）人： | 硅能光电半导体（广州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/56 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 谢嘉舜;孙中华 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cob 封装 及其 制备 方法 | ||
1.一种COB封装，包括基板、LED芯片、光转换层、硅胶层和挡胶；所述LED芯片安装在基板上；其特征在于，所述光转换层包覆LED芯片；所述硅胶层叠置在光转换层的上方；所述挡胶从基板向上延伸并围绕硅胶层设置；所述光转换层包括甲基硅橡胶；所述硅胶层包括甲基硅橡胶；所述甲基硅橡胶的折射率为1.42，硬度为50shoreA，所述光转换层的最大厚度为0.1-0.3mm；
所述光转换层中还包括发射波长为500-650nm的荧光粉，其中，填涂光转换层后，水平静置光转换层，在水平静置后的光转换层上填涂硅胶层，填涂硅胶层后进行脱泡处理，然后烘烤，烘烤采用分段烘烤以使硅胶层固化连接光转换层、外保护层：第一段的温度为170-190℃，时间15min，第二段的温度为140-160℃，时间为0.5-1h，水平度±0.1°。
2.如权利要求1所述的COB封装，其特征在于，所述LED芯片为至少两个；所述LED芯片之间通过金线电性连接。
3.如权利要求1所述的COB封装，其特征在于，所述基板上设有凹陷的安装部；所述安装部的凹陷深度为0.2-0.4mm；所述LED芯片固定在安装部中。
4.如权利要求1所述的COB封装，其特征在于，所述COB封装还包括外保护层；所述外保护层叠置在硅胶层上方；所述外保护层包括苯基硅橡胶；所述苯基硅橡胶的折射率为1.47-1.55，硬度为60-70shoreD。
5.一种如权利要求1所述的COB封装的制备方法，其特征在于包括：
LED芯片固定步骤：将LED芯片固定在基板上；
挡胶形成步骤：在LED芯片的外围形成挡胶；
光转换层填涂步骤：填涂光转换层以包覆LED芯片，然后静置2-4h，所述光转换层中包括发射波长为500-650nm的荧光粉；
硅胶层填涂步骤：在挡胶内部、光转换层的上方填涂硅胶层；
脱泡及烘烤步骤：填涂硅胶层后，进行脱泡处理，然后烘烤，得到COB封装，所述脱泡及烘烤步骤中，烘烤采用分段烘烤以使硅胶层固化连接光转换层、外保护层：第一段的温度为170-190℃，时间15min，第二段的温度为140-160℃，时间为0.5-1h，水平度±0.1°。
6.如权利要求5所述的COB封装的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括外保护层形成步骤：脱泡及烘烤步骤后，在挡胶内部、硅胶层的上方填涂外保护层，然后加热，得到COB封装。
7.如权利要求6所述的COB封装的制备方法，其特征在于，所述外保护层形成步骤中，加热的温度为140-160℃，时间为2-2.5h。
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