[发明专利]一种表面大凸点晶圆临时键合方法在审
申请号: | 201811593467.6 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN110021547A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 冯光建;王永河;马飞;程明芳;郁发新 | 申请(专利权)人: | 浙江集迈科微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 临时键合 晶圆 凸点 键合 制作 | ||
1.一种表面大凸点晶圆临时键合方法,其特征在于,具体处理包括如下步骤:
101)制作凹槽步骤:在载板上表面通过光刻、刻蚀工艺制作凹槽,在载片上表面通过旋涂、喷胶或者电镀的工艺加一层键合胶;
102)键合步骤:把步骤101)处理后的载板,通过加热和压合的方式使其跟转接板做临时键合,加热温度范围在20度到200度之间;转接板表面凸起或者贴装芯片被包在载板的凹槽内部。
2.根据权利要求1所述的一种表面大凸点晶圆临时键合方法,其特征在于:载板大小采用4、6、8、12寸中的一种,载板厚度范围为200um到2000um,载板材料采用硅片、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、聚氨酯中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种表面大凸点晶圆临时键合方法,其特征在于:凹槽结构深度在10um到1000um,凹槽的宽度在1um到10cm之间,凹槽截面图形为方形、圆形、椭圆形或三角形。
4.根据权利要求1所述的一种表面大凸点晶圆临时键合方法,其特征在于:键合胶的厚度范围在1um到300um之间,通过烘烤使键合胶进入凹槽中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造