[发明专利]一种基于HBT-HEMT堆叠技术的超宽带放大器

权利要求书

1.一种基于HBT-HEMT堆叠技术的超宽带放大器，其特征在于，包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一CECG堆叠晶体管、第二CECG堆叠晶体管、第三CECG堆叠晶体管、第四CECG堆叠晶体管以及与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的第一馈电网络和与第一至第四CECG堆叠晶体管相连的第二馈电网络；

所述二阶矩阵输入分配网络的输入端为整个所述基于HBT-HEMT堆叠技术的超宽带放大器的输入端，其第一输出端与所述第一CECG堆叠晶体管的输入端连接，其第二输出端与所述第二CECG堆叠晶体管的输入端连接；

所述二阶矩阵级间平衡网络的第一端口与所述第一馈电网络的第一输出端连接，所述二阶矩阵级间平衡网络的第二端口与所述第一CECG堆叠晶体管的输出端、第三CECG堆叠晶体管的输入端同时连接，所述二阶矩阵级间平衡网络的第三端口与所述第二CECG堆叠晶体管的输出端、第四CECG堆叠晶体管的输入端同时连接；

所述二阶矩阵输出合成网络的输出端为整个所述基于HBT-HEMT堆叠技术的超宽带放大器的输出端，其第一输入端与所述第一馈电网络的第二输出端连接，其第二输入端与所述第三CECG堆叠晶体管的输出端连接，其第三输入端与所述第四CECG堆叠晶体管的输出端连接；

所述第一馈电网络的输入端与供电电压Vdd连接；

所述第二馈电网络的输入端与供电电压Vcc连接，第二馈电网络的输出端与所述第一至第四CECG堆叠晶体管的馈电端连接。

2.根据权利要求1所述的基于HBT-HEMT堆叠技术的超宽带放大器，其特征在于，所述二阶矩阵输入分配网络包括从所述超宽带放大器输入端到接地端依次串接的电感L_b1、L_b2、L_b3、隔直电容C_load1和负载电阻R_load1,所述电感L_b1与L_b2的连接节点为所述二阶矩阵输入分配网络的第一输出端，所述电感L_b2与L_b3的连接节点为所述二阶矩阵输入分配网络的第二输出端。

3.根据权利要求1所述的基于HBT-HEMT堆叠技术的超宽带放大器，其特征在于，所述第N CECG堆叠晶体管的输入端连接电容C_bj，电容C_bj的另一端连接共射管Q_sj的基极，Q_sj基极与所述第N CECG堆叠晶体管的馈电端之间顺次串联了馈电电感L_sj以及馈电电阻R_sj，所述共射管Q_sj的发射极接地，Q_sj的集电极连接场效应晶体管M_tj的源极，M_tj的栅极与电阻R_rj和电容C_tj相连，所述电容C_tj的另一端接地，所述电阻R_rj的另一端同时连接电阻R_pj、R_qj,电阻R_pj的另一端接地，电阻R_qj的另一端连接到场效应晶体管M_tj的漏极，场效应晶体管M_tj的漏极连接所述第N CECG堆叠晶体管的输出端，其中，N为一、二、三、四，j＝1,2，3,4。