[发明专利]返工方法以及酸性清洗液在审
| 申请号： | 201811593567.9 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110034009A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 平野勋;濑下武广;昆野健理 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/42;C11D7/34 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 下层膜 返工 有机树脂膜 酸性清洗液 含硅材料 图案化 基板 烷基磺酸 卤代 剥离 损伤 | ||
1.一种返工方法，是基板的返工方法，包含：
在所述基板上形成包含含硅材料的下层膜；
在所述下层膜上形成图案化的有机树脂膜；
由酸性清洗液从所述下层膜上除去所述有机树脂膜，
所述酸性清洗液含有烷基磺酸，
所述烷基磺酸所具有的烷基中的氢原子的至少一部分可以被卤原子取代。
2.如权利要求1所述的返工方法，其特征在于，
在所述酸性清洗液中，所述烷基磺酸的含量为80质量％以上。
3.如权利要求1或者2所述的返工方法，其特征在于，
所述下层膜包含50质量％以上的所述含硅材料。
4.如权利要求1～3的任一项所述的返工方法，其特征在于，
通过涂布或者蒸镀下层膜形成用材料而进行所述下层膜的形成。
5.如权利要求1～4的任一项所述的返工方法，其特征在于，
通过压印法或者使用光致抗蚀剂材料的光刻法进行所述有机树脂膜的形成。
6.如权利要求1～5的任一项所述的返工方法，其特征在于，
所述酸性清洗液含有甲磺酸以及/或三氟甲磺酸。
7.如权利要求1～6的任一项所述的返工方法，其特征在于，
通过将所述基板浸渍到所述酸性清洗液而进行所述有机树脂膜的除去。
8.如权利要求1～7的任一项所述的返工方法，其特征在于，
使50℃以上170℃以下的所述酸性清洗液与所述有机树脂膜接触。
9.一种酸性清洗液，在权利要求1～8的任一项所述的基板的返工方法中，用于从所述下层膜上除去所述有机树脂膜，
所述酸性清洗液包含烷基磺酸，
所述烷基磺酸所具有的烷基中的氢原子的至少一部分可以被卤原子取代。
10.一种酸性清洗液，包含烷基磺酸，
所述烷基磺酸所具有的烷基中的氢原子的至少一部分可以被卤原子取代。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
