[发明专利]一种石墨舟及其制作方法

权利要求书

1.一种石墨舟，其特征在于，包括石墨舟片、陶瓷杆、石墨杆、石墨块以及工艺卡点，所述陶瓷杆用于固定所述石墨舟片，所述石墨杆用于固定所述石墨舟片和所述石墨块，所述石墨舟表面设置有预设厚度的氮氧化硅；

其中，所述氮氧化硅是在预设条件下制得的，所述预设条件为温度在450℃-475℃、沉积时间在1100s-1300s、SiH₄气体和N₂O气体的流量分别在350sccm-450sccm和4500sccm-5000sccm、沉积压力在1800mTorr-2000mTorr、沉积功率在5800W-6500W，包括所有端点值。

2.如权利要求1所述的石墨舟，其特征在于，所述预设厚度的取值范围为75nm-80nm，包括端点值。

3.一种石墨舟制作方法，其特征在于，包括：

将空石墨舟放入PECVD炉管中；

对所述PECVD炉管进行预处理；

对所述空石墨舟沉积氮氧化硅，以得到石墨舟；

其中，所述对所述空石墨舟沉积氮氧化硅包括：

控制温度在450℃-475℃，包括端点值，对所述石墨舟沉积氮氧化硅；

所述对所述石墨舟沉积氮氧化硅包括：

控制沉积时间在1100s-1300s，包括端点值，对所述石墨舟沉积氮氧化硅；

所述对所述石墨舟沉积氮氧化硅包括：

控制SiH₄气体和N₂O气体的流量分别在350sccm-450sccm和4500sccm-5000sccm，包括所有端点值，对所述石墨舟沉积氮氧化硅；

所述对所述石墨舟沉积氮氧化硅包括：

控制沉积压力在1800mTorr-2000mTorr，包括端点值，对所述石墨舟沉积氮氧化硅；

所述对所述石墨舟沉积氮氧化硅包括：

控制沉积功率在5800W-6500W，包括端点值，对所述石墨舟沉积氮氧化硅。

4.如权利要求3所述的石墨舟制作方法，其特征在于，所述预处理包括：

向所述PECVD炉管通入惰性气体，以去除所述PECVD炉管内的空气；

对所述PECVD炉管抽真空。

5.如权利要求4所述的石墨舟制作方法，其特征在于，在所述对所述空石墨舟沉积氮氧化硅，以得到石墨舟之后还包括：

向所述PECVD炉管通入所述惰性气体，以去除所述PECVD炉管内的沉积气体；

从所述PECVD炉管中退出所述石墨舟。