[发明专利]一种提高OPC模型精度的方法

说明书

本发明公开了一种提高OPC模型精度的方法，包括以下步骤：步骤S01：在晶圆上搜集一组量测值；步骤S02：对所述量测值进行处理，过滤掉量测不可信的数据点；步骤S03：基于量测数据建立初始OPC模型；步骤S04：针对主图形进行版图图形与光学信号的卷积，修正初始OPC模型；步骤S05：针对辅助图形进行版图图形与光学信号的卷积，进一步修正初始OPC模型；步骤S06：获得精度更高的修正后OPC模型。本发明针对主图形和辅助图形分别进行信号卷积运算处理，分别修正了主图形和辅助图形的掩模制造误差，能有效提升OPC模型精度。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造工艺技术领域，更具体地，涉及一种提高OPC模型精度的方法。

背景技术

随着集成电路的持续发展，制造技术不断地朝更小的尺寸发展，光刻制程已经成为限制集成电路向更小特征尺寸发展的主要瓶颈。在深亚微米的半导体制造中，关键图形的尺寸已经远远小于光源的波长，由于光的衍射效应，导致光罩投影至硅片上面的图形有很大的变化，如线宽的变化，转角的圆化，线长的缩短等各种光学临近效应。

为了补偿这些效应产生的影响，我们会直接修改设计出来的图形，然后再进行光刻版的制版工作，例如将线尾修改成hammer head之类的图形等。这个修正的迭代过程就叫光刻邻近效应修正(optical proximity correction，OPC)。一般来说0.18微米以下的光刻制程需要辅以OPC才可得到较好的光刻质量。

在65nm及以下先进工艺中，亚分辨率辅助图形(Assist Feature，AF)技术被广泛应用于光学邻近效应修正OPC中。辅助图形技术利用光学原理在主图形(Main Feature，MF)附近加入无法成像的辅助图形，增强主图形对比度从而进一步扩大光刻工艺窗口。

在OPC过程中，模型的建立至关重要，mask的修正都是基于模型的仿真并通过大量迭代来实现。OPC模型依据光学系统相关参数，晶圆上光阻、膜层信息参数，光刻版透射率参数等信息来模拟光刻版上设计的图案投影后在晶圆上形成的图案。

采用OPC模型模拟出的投影后图案与实际光刻版上图案曝在晶圆上的图案是存在误差的，该误差称为模型残余误差(model residual error，MRE)。模型误差的存在限制了OPC模型的精度。而辅助图形的尺寸通常是主图形尺寸的一半甚至更小，在掩模版制造过程中，更容易引起尺寸误差，对模型精度产生影响，从而进一步影响器件的性能和产品良率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种提高OPC模型精度的方法。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种提高OPC模型精度的方法，包括以下步骤：

步骤S01：在晶圆上搜集一组量测值；

步骤S02：对所述量测值进行处理，过滤掉量测不可信的数据点；

步骤S03：基于量测数据建立初始OPC模型；

步骤S04：针对主图形进行版图图形与光学信号的卷积，修正初始OPC模型；

步骤S05：针对辅助图形进行版图图形与光学信号的卷积，进一步修正初始OPC模型；

步骤S06：获得精度更高的修正后OPC模型。

进一步地，所述量测值同时包括若干一维图形和若干二维图形。

进一步地，所述一维图形和二维图形包括多种不同的特征图形。

进一步地，每种所述特征图形包括不添加辅助图形的图形和按照一定规则添加辅助图形的图形。