[发明专利]一种金刚线切割多晶硅的制绒方法在审

专利信息
申请号: 201811593932.6 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN109680337A 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 赵迎财;金井升;张昕宇 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: C30B33/08 分类号: C30B33/08;C30B33/10;C30B29/06;H01L31/18;H01L31/0236
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵青朵
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 多晶硅 线切割 制绒 清洗 酸制绒 混合溶液体系 太阳能电池 表面结构 低反射率 工艺步骤 激光刻蚀 金属离子 溶液体系 转换效率 电性能 硅片 污染 配合
【权利要求书】:

1.一种金刚线切割多晶硅的制绒方法,包括以下步骤:

a)将金刚线切割多晶硅采用H2O2-HCl混合溶液体系进行清洗,得到清洗后的金刚线切割多晶硅;

b)将步骤a)得到清洗后的金刚线切割多晶硅依次进行激光刻蚀和酸制绒,得到制绒后的金刚线切割多晶硅。

2.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤a)中所述H2O2-HCl混合溶液体系中H2O2的质量浓度为5%~20%,HCl的质量浓度为5%~20%。

3.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤a)中所述清洗的温度为20℃~30℃,时间为60s~300s。

4.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤b)中所述激光刻蚀的功率为3W~10W,刻蚀点数为1E4~3E4。

5.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤b)中所述酸制绒的过程具体为:

将激光刻蚀后的金刚线切割多晶硅采用HF-HNO3混合溶液体系进行制绒,得到酸制绒后的金刚线切割多晶硅。

6.根据权利要求5所述的制绒方法,其特征在于,所述HF-HNO3混合溶液体系中HF的质量浓度为5%~15%,HNO3的质量浓度为5%~15%。

7.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤b)中所述酸制绒的温度为20℃~30℃,时间为100s~240s。

8.根据权利要求1~7任一项所述的制绒方法,其特征在于,所述步骤b)还包括:

将酸制绒得到的金刚线切割多晶硅进行表面处理,得到制绒后的金刚线切割多晶硅。

9.根据权利要求8所述的制绒方法,其特征在于,所述表面处理的过程具体为:

将酸制绒后的金刚线切割多晶硅采用RCA标准清洗法进行清洗后,再进行慢提拉,烘干后得到制绒后的金刚线切割多晶硅。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述慢提拉的温度为50℃~70℃,提拉速度为2mm/s~20mm/s。

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