[发明专利]一种金刚线切割多晶硅的制绒方法在审
申请号: | 201811593932.6 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109680337A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 赵迎财;金井升;张昕宇 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | C30B33/08 | 分类号: | C30B33/08;C30B33/10;C30B29/06;H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶硅 线切割 制绒 清洗 酸制绒 混合溶液体系 太阳能电池 表面结构 低反射率 工艺步骤 激光刻蚀 金属离子 溶液体系 转换效率 电性能 硅片 污染 配合 | ||
1.一种金刚线切割多晶硅的制绒方法,包括以下步骤:
a)将金刚线切割多晶硅采用H2O2-HCl混合溶液体系进行清洗,得到清洗后的金刚线切割多晶硅;
b)将步骤a)得到清洗后的金刚线切割多晶硅依次进行激光刻蚀和酸制绒,得到制绒后的金刚线切割多晶硅。
2.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤a)中所述H2O2-HCl混合溶液体系中H2O2的质量浓度为5%~20%,HCl的质量浓度为5%~20%。
3.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤a)中所述清洗的温度为20℃~30℃,时间为60s~300s。
4.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤b)中所述激光刻蚀的功率为3W~10W,刻蚀点数为1E4~3E4。
5.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤b)中所述酸制绒的过程具体为:
将激光刻蚀后的金刚线切割多晶硅采用HF-HNO3混合溶液体系进行制绒,得到酸制绒后的金刚线切割多晶硅。
6.根据权利要求5所述的制绒方法,其特征在于,所述HF-HNO3混合溶液体系中HF的质量浓度为5%~15%,HNO3的质量浓度为5%~15%。
7.根据权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,步骤b)中所述酸制绒的温度为20℃~30℃,时间为100s~240s。
8.根据权利要求1~7任一项所述的制绒方法,其特征在于,所述步骤b)还包括:
将酸制绒得到的金刚线切割多晶硅进行表面处理,得到制绒后的金刚线切割多晶硅。
9.根据权利要求8所述的制绒方法,其特征在于,所述表面处理的过程具体为:
将酸制绒后的金刚线切割多晶硅采用RCA标准清洗法进行清洗后,再进行慢提拉,烘干后得到制绒后的金刚线切割多晶硅。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述慢提拉的温度为50℃~70℃,提拉速度为2mm/s~20mm/s。
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