[发明专利]一种自动扫描缺陷的方法有效
申请号: | 201811595214.2 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109712902B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 王洲男 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/95 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 扫描 缺陷 方法 | ||
1.一种自动扫描缺陷的方法,应用于缺陷扫描工艺中,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S1,确定多个预设的缺陷扫描策略,并根据扫描精度由上至下对多个所述缺陷扫描策略进行排列;
步骤S2,根据扫描精度最大的所述缺陷扫描策略对晶圆进行扫描,并持续监控以得到晶圆上晶粒的已扫描数量以及缺陷数量;
步骤S3,根据所述缺陷数量和所述已扫描数量,依照一预设的计算策略计算得到于本次选择的所述缺陷扫描策略下的预测缺陷数量;
步骤S4,判断所述预测缺陷数量是否超出一预设的对应于本次选择的所述缺陷扫描策略的缺陷数量阈值;
若是,则选择下一个所述缺陷扫描策略继续扫描所述晶圆,同时返回所述步骤S2;
若否,则直接返回所述步骤S2,以继续采用当前的所述缺陷扫描策略继续扫描所述晶圆;
所述步骤S2-S4循环进行,直至对晶圆上所有晶粒均扫描完毕为止;各个所述缺陷扫描策略中,分别提供多个扫描图形,并采用各个所述扫描图形扫描所述晶圆上对应的图形单元,被扫描的各个所述图形单元相邻;
各个所述扫描图形相互之间不重叠;
各个所述扫描图形叠加能够覆盖所述晶圆上的所有所述晶粒。
2.如权利要求1所述的自动扫描缺陷的方法,其特征在于,所述步骤S1具体包括以下步骤:
根据所述晶圆的制程选择对应的多个预设的缺陷扫描策略,并根据预设的所述缺陷扫描策略的精度进行排列;
当所述晶圆的制程为与图形相关的制程时,预设的所述缺陷扫描策略为隔行扫描策略;
当所述晶圆的制程为与无图形相关的制程时,预设的所述缺陷扫描策略为晶粒数扫描策略。
3.如权利要求2所述的自动扫描缺陷的方法,其特征在于,所述隔行扫描策略根据所述扫描图形中每行之间的间距来确定所述隔行扫描策略的所述扫描精度。
4.如权利要求2所述的自动扫描缺陷的方法,其特征在于,所述晶粒数扫描策略根据所述扫描区域的缺陷晶粒数量来确定所述晶粒数扫描策略的所述扫描精度。
5.如权利要求1所述的自动扫描缺陷的方法,其特征在于,所述步骤S2-S4循环的次数超出一预设循环次数时,判断所述缺陷扫描失败。
6.如权利要求5所述的自动扫描缺陷的方法,其特征在于,所述预设循环次数为2次。
7.如权利要求1所述的自动扫描缺陷的方法,其特征在于,所述预设的计算策略具体包括以下步骤:
步骤C1,获得当前扫描的所述扫描晶粒的数量和当前扫描的所述缺陷数量;
步骤C2,通过以下公式计算得到每个所述扫描晶粒的平均所述缺陷数量;
a=x÷y;
其中,a用于表示每个所述扫描晶粒的平均所述缺陷数量;
x用于表示当前扫描的所述缺陷数量;
y用于表示当前扫描的所述扫描晶粒的数量;
步骤C3,获取当前所述晶圆的所述晶粒的数量,将所述平均所述缺陷数量结合所述晶粒的数量通过以下公式计算得到所述预测缺陷数量;
b=ac;
其中,b用于表示预测缺陷数量;
c用于表示当前所述晶圆的所述晶粒的数量。
8.如权利要求1所述的自动扫描缺陷的方法,其特征在于,所述步骤S4中的预设的所述缺陷数量阈值为100000颗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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