[发明专利]一种电位转换电路及系统低速背板模块

说明书

本申请公开了一种电位转换电路，其中，第一P‑MOS管第一端和第二P‑MOS管第一端连接第一电压源，第一P‑MOS管第二端和控制端、第二P‑MOS管控制端、中断P‑MOS管第一端连接，中断P‑MOS管第二端和控制端分别连接第一N‑MOS管第一端和电位转换电路输出端，第一N‑MOS管控制端与电位转换电路输入端连接，第二N‑MOS管控制端与第一反相器输出端连接，第二N‑MOS管第一端与电位转换电路输出端、第二P‑MOS管第二端连接。当输出高电位时，中断P‑MOS管被关断，从而电位转换电路的输入端转换为低电位之前，第一P‑MOS管和第一N‑MOS管之间电流通路中断，有效降低了电位转换电路上的功率消耗。

技术领域

本发明涉及硬件电路设计领域，特别涉及一种电位转换电路及系统低速背板模块。

背景技术

近年来，可携带电子产品受到人们青睐，其种类不断地推陈出新，功能日益丰富，出现了包括手机、笔记本、数码相机等多种电子产品。这些电子产品一直具有小体量、高效率的设计趋势，但截止到目前，如何在可携带电子产品的有限电量下进行大功耗的高速运算，始终是产品设计面临的设计难点。

在电子产品的硬件设计中，电位转换电路常用于电压需求不同的两个组件之间，如图1所示，以达到降压或升压的目的，让某些允许在低电压环境工作的组件由较低的工作电压供电，以节省功率消耗。但是电位转换电路本身存在多个晶体管，晶体管内部电容的充放电会产生动态功率消耗，约占总功率消耗的80％。因此，如何提供一种降低动态功率消耗的方案是目前本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种电位转换电路及系统低速背板模块，以降低功率消耗。其具体方案如下：

一种电位转换电路，包括第一反相器、第一P-MOS管、第二P-MOS管、第一N-MOS管、第二N-MOS管和中断P-MOS管，其中：

所述第一P-MOS管的第一端和第二P-MOS管的第一端均连接于第一电压源，所述第一P-MOS管的第二端和控制端、所述第二P-MOS管的控制端、所述中断P-MOS管的第一端均连接于同一点，所述中断P-MOS管的第二端和控制端分别连接所述第一N-MOS管的第一端和所述电位转换电路的输出端，所述第一N-MOS管的控制端与所述电位转换电路的输入端、所述第一反相器的输入端均连接，所述第二N-MOS管的控制端与所述第一反相器的输出端连接，所述第二N-MOS管的第一端分别与所述电位转换电路的输出端、所述第二P-MOS管的第二端均连接，所述第一N-MOS管的第二端和所述第二N-MOS管的第二端均接地。

优选的，当所述电位转换电路的输出端为高电位，所述中断P-MOS管处于关断状态。

优选的，所述第一反相器具体包括第一反相P-MOS管和第一反相N-MOS管，其中：

所述第一反相N-MOS管的控制端和所述第一反相P-MOS管的控制端连接并作为所述第一反相器的输入端；

所述第一反相P-MOS管的第一端连接第二电压源；

所述第一反相P-MOS管的第二端和所述第一反相N-MOS管的第一端连接并作为所述第一反相器的输出端；

所述第一反相N-MOS管的第二端连接所述第三电压源；

所述第三电压源的电位低于所述第二电压源。

优选的，所述第二N-MOS管的第一端依次通过第二反相器和第三反相器与所述电位转换电路的输出端连接。

优选的，所述电位转换电路的输入端限制电压为3.3V电压。

优选的，所述电位转换电路的输出端限制电压为1.8V电压。

相应的，本发明还公开了一种系统低速背板模块，包括如上文任一项所述电位转换电路。