[发明专利]一种硅集成低光学损耗磁光薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201811597481.3 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109440071B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;张燕;刘书缘;肖敏;邓龙江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/10;C23C14/28;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平;张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成 光学 损耗 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅集成低光学损耗磁光薄膜材料，其特征在于：
从下至上依次包括基底、SiO2、YIG和Ce:YIG；SiO2层厚度为5-10nm，YIG厚度为50-60nm，YIG薄膜损耗为100-150dB/cm，Ce:YIG薄膜的损耗为50-80dB/cm。
2.如权利要求1所述硅集成低光学损耗磁光薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：在硅Si、SOI或氮化硅SiN基片上沉积一层5-10nm的SiO2扩散阻挡层薄膜材料；
步骤2：在硅Si、SOI或氮化硅基片上沉积一层50-60nm厚的YIG薄膜；
步骤3：采用快速退火RTA技术，将步骤2制得的薄膜放入快速退火炉内，通入不低于0.5Torr的氧气，升温至800-1000℃，保温3-5分钟，自然冷却至室温；
步骤4：将步骤3制得的薄膜于600-850℃，氧气气氛，氧气分压为5-20mTorr，沉积Ce:YIG薄膜，即可制得硅集成YIG/Ce:YIG薄膜材料。
3.如权利要求2所述硅集成低光学损耗磁光薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述步骤4中Ce:YIG薄膜沉积后，在腔体内原位保温10-60分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811597481.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
