[发明专利]增反膜光栅结构、电致发光器件及其制作方法有效
申请号: | 201811598470.7 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN111370588B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 柯秋坛 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增反膜 光栅 结构 电致发光 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种增反膜光栅结构,其特征在于,包括依次层叠设置的高折射率介质层和低折射率介质层,所述高折射率介质层和所述低折射率介质层数量相同,所述高折射率介质层和所述低折射率介质层交替设置构成增反组合膜,所述低折射率介质层的折射率小于与其接触的所述高折射率介质层的折射率;
所述增反组合膜中设有多个透光狭缝,所述增反膜光栅结构在所述透光狭缝的下方具有反射结构;其中,
所述透光狭缝从所述增反组合膜一侧的外表面贯穿整个所述增反组合膜至其另一侧的外表面;所述增反膜光栅结构还包括位于所述增反组合膜最外层的低折射率介质层外表面上的一层反射介质,该层反射介质构成所述反射结构;或,
所述透光狭缝贯穿部分所述增反组合膜,所述增反膜光栅结构还包括位于所述增反组合膜最外层的低折射率介质层外表面上的一层反射介质,该层反射介质与所述增反组合膜中位于所述透光狭缝下方的、未设有所述透光狭缝的部分共同构成所述反射结构。
2.如权利要求1所述的增反膜光栅结构,其特征在于,所述高折射率介质层和所述低折射率介质层均有多层;
位于不同层的所述高折射率介质层的折射率相同或不同,和/或位于不同层的所述低折射率介质层的折射率相同或不同。
3.如权利要求2所述的增反膜光栅结构,其特征在于,各所述低折射率介质层的折射率均小于各所述高折射率介质层的折射率。
4.如权利要求1~3中任一项所述的增反膜光栅结构,其特征在于,所述透光狭缝与所述增反组合膜的厚度方向之间的夹角的度数为0~60°。
5.如权利要求1~3中任一项所述的增反膜光栅结构,其特征在于,所述透光狭缝的光栅常量为3μm~20μm。
6.如权利要求1~3中任一项所述的增反膜光栅结构,其特征在于,所述高折射率介质层和所述低折射率介质层的厚度d与入射光的波长λ满足:
2nd+λ/2=kλ
n是相应介质层的折射率,k为正整数。
7.一种电致发光器件,其特征在于,包括衬底和设于所述衬底之上的底电极层、像素界定层、发光单元、顶电极层以及增反膜光栅结构,所述像素界定层围绕所述底电极层设置,并对应所述底电极层形成像素坑,所述发光单元在所述像素坑内设于所述底电极层之上,所述顶电极层设于所述发光单元之上,所述增反膜光栅结构在所述像素坑内设于所述像素界定层的侧表面之上,且最外层的高折射率介质层靠近所述像素坑内的所述发光单元;
所述增反膜光栅结构包括依次层叠设置的高折射率介质层和低折射率介质层,所述高折射率介质层和所述低折射率介质层数量相同,所述高折射率介质层和所述低折射率介质层交替设置构成增反组合膜,所述低折射率介质层的折射率小于与其接触的所述高折射率介质层的折射率;
所述增反组合膜中设有多个透光狭缝,所述透光狭缝从所述增反组合膜中位于最外层的高折射率介质层的外表面向位于最外层的低折射率介质层的外表面延伸以至少贯穿部分所述增反组合膜,所述增反膜光栅结构在所述透光狭缝的下方具有反射结构。
8.根据权利要求7所述的电致发光器件,其特征在于,所述透光狭缝贯穿部分所述增反组合膜,所述增反组合膜中位于所述透光狭缝下方的、未设有所述透光狭缝的部分构成所述反射结构;或者
所述透光狭缝贯穿部分所述增反组合膜,所述增反膜光栅结构还包括位于所述增反组合膜最外层的低折射率介质层外表面上的一层反射介质,该层反射介质与所述增反组合膜中位于所述透光狭缝下方的、未设有所述透光狭缝的部分共同构成所述反射结构。
9.根据权利要求7所述的电致发光器件,其特征在于,所述透光狭缝从所述增反组合膜一侧的外表面贯穿整个所述增反组合膜至其另一侧的外表面;
所述增反膜光栅结构还包括位于所述增反组合膜最外层的低折射率介质层外表面上的一层反射介质,该层反射介质构成所述反射结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择