[发明专利]一种超微小孔的去毛刺表处工艺

说明书

本发明属于半导体领域的精密加工技术。是一种超微小孔的去毛刺表处工艺，步骤如下：(1)采用顺纹抛光+高压水枪清洗验证；(2)采用乱纹抛光+高压水枪清洗验证；(3)采用顺纹抛光+高压水枪+化学清洗验证；(4)采用顺纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(5)采用乱纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；(6)采用乱纹抛光+高压水枪+化学清洗验证。保证小孔的内侧壁和小孔边缘无微小毛刺，极大的提升了匀气盘生产加工良率。

技术领域

本发明属于半导体关键零部件匀气盘的去毛刺表处工艺，具体说是一种超微小孔的精密加工技术，适用于半导体领域的等离子刻蚀,化学气相沉积等关键工艺制程。

背景技术

随着近年来半导体领域的高速发展，对匀气盘，这个半导体晶圆加工关键零部件的技术要求越来越高，在刻蚀和沉积等工艺中，对进气的流速有着严格的要求，进气的均匀程度决定了芯片的质量，而决定进气匀气的关键机械零部件就是匀气盘，因此，对匀气盘上成千上万的小孔表面是否有微小毛刺，及孔径一致性有极高的要求，通过专用去毛刺的加工工艺，保证匀气盘功能性流量测试的要求。

发明内容

针对上述存在的问题，为了达到超微小孔的使用要求，通过设计不同的表面处理去毛刺参数，基于产品技术要求及流量测试等功能性要求，实现了匀气盘高效高良率加工的可能性。本发明的目的是提供了一种超微小的去毛刺加工工艺。

本发明是主要通过如下方案实现的：

一种超微小孔的去毛刺表处工艺，步骤如下：

(1)采用顺纹抛光+高压水枪清洗验证；

(2)采用乱纹抛光+高压水枪清洗验证；

(3)采用顺纹抛光+高压水枪+化学清洗验证；

(4)采用顺纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；

(5)采用乱纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证；

(6)采用乱纹抛光+高压水枪+化学清洗验证。

所述第(1)步骤中采用顺纹抛光和高压水枪清洗，采用抛光机抛光和高压水枪清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。

所述第(2)步骤中采用乱纹抛光和高压水枪清洗，设计专用抛光和高压水枪清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。

所述第(3)步骤中采用顺纹抛光+高压水枪+化学清洗验证，设计专用抛光，高压水枪清洗和化学清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。

所述第(4)步骤中采用顺纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证，采用抛光机抛光，高压水枪清洗和化学清洗，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。

所述第(5)步骤中采用乱纹抛光+高压水枪+电化学抛光验证，采用抛光机抛光，高压水枪清洗和化学清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。

所述第(6)步骤中采用乱纹抛光+高压水枪+化学清洗验证，设计专用抛光，高压水枪清洗和化学清洗参数，通过试验来对比确认小孔内毛刺改善状况。

本发明的有益效果是：

1.通过专有表面处理参数的选择，实现超微小孔表面无微小毛刺要求，保证匀气盘的超微小孔表面超高粗糙度和小孔直径的一致性。

2.设计不同DOE加工参数，得出最优的去毛刺表面处理制程为：顺纹+高压水枪+化洗。

3.通过实验确立的表面处理参数的设计，提高了生产良率。

附图说明

图1是DOE1后表面处理后的小孔毛刺状况。

图2是DOE2后表面处理后的小孔毛刺状况。