[发明专利]衬底处理装置、半导体装置的制造方法及被加工衬底

说明书

本发明的实施方式提供一种能够适当地抑制衬底的翘曲的衬底处理装置、半导体装置的制造方法及被加工衬底。一实施方式的衬底处理装置具备衬底保持部，该衬底保持部保持设有膜的衬底。所述装置还具备膜处理部，该膜处理部基于所述衬底的翘曲，以所述膜包含具有第1膜质或膜厚的第1区域和具有与所述第1膜质或膜厚不同的第2膜质或膜厚的第2区域的方式对所述膜进行处理，抑制所述衬底的翘曲。

[相关申请案]

本申请案享有将日本专利申请案2018-172284号(申请日：2018年9月14日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种衬底处理装置、半导体装置的制造方法及被加工衬底。

背景技术

有通过在晶片的单面形成膜来抑制晶片的翘曲的情况。

发明内容

实施方式提供一种能够适当地抑制衬底的翘曲的衬底处理装置、半导体装置的制造方法及被加工衬底。

实施方式的衬底处理装置具备衬底保持部，该衬底保持部保持设有膜的衬底。所述装置还具备膜处理部，该膜处理部基于所述衬底的翘曲，以所述膜包含具有第1膜质或膜厚的第1区域和具有与所述第1膜质或膜厚不同的第2膜质或膜厚的第2区域的方式对所述膜进行处理，抑制所述衬底的翘曲。

附图说明

图1是示意性地表示第1实施方式的衬底处理装置的构成的剖视图。

图2(a)～(c)、图3(a)～(c)及图4(a)～(c)是用来说明第1实施方式的晶片处理方法的图。

图5是示意性地表示第1实施方式的半导体制造系统的构成的剖视图。

图6是用来说明第1实施方式的变化例的晶片处理方法的图。

图7是示意性地表示第2实施方式的衬底处理装置的构成的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在图1～图7中，对相同或类似的构成标注相同的符号，并省略重复的说明。

(第1实施方式)

图1是示意性地表示第1实施方式的衬底处理装置的构成的剖视图。图1的衬底处理装置例如为利用等离子体对设置在晶片1的膜2进行处理的等离子体处理装置。

晶片1例如为硅晶片等半导体晶片。晶片1为衬底的例子。晶片1具有形成着或待形成器件的第1面S1、及形成着用于抑制晶片1的翘曲的膜2的第2面S2。膜2例如为硅膜、氧化硅膜、氮化硅膜、金属膜等。膜2可以是以抑制翘曲为目的而形成在晶片1的膜，也可以是因其他目的而形成在晶片1的膜。

图1示出与晶片1的第1面S1或第2面S2的中心区域大致平行且相互垂直的X方向及Y方向、及与晶片1的第1面S1或第2面S2的中心区域大致垂直的Z方向。本说明书中，将+Z方向作为上方向处理，将-Z方向作为下方向处理。-Z方向可以与重力方向一致，也可以不与重力方向一致。Y方向为第1方向的例子，X方向为第2方向的例子。

图1的衬底处理装置具备晶片保持部11、翘曲测定部12、等离子体照射部13及控制部14。晶片保持部11为衬底保持部的例子。等离子体照射部13与控制部14为膜处理部的例子。

晶片保持部11保持设有膜2的晶片1，例如保持晶片1的斜面。晶片1的斜面为衬底的端部的例子。本实施方式的膜2是在利用晶片保持部11保持晶片1之前形成在晶片1，但也可以在利用晶片保持部11保持晶片1的状态下形成在晶片1。