[发明专利]一种片上偏振旋转测试装置和方法在审
申请号: | 201811601341.9 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN111366337A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 华士跃;李蒙 | 申请(专利权)人: | 中兴光电子技术有限公司 |
主分类号: | G01M11/02 | 分类号: | G01M11/02;G02B5/18 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;龙洪 |
地址: | 210000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 偏振 旋转 测试 装置 方法 | ||
1.一种片上偏振旋转测试装置,其特征在于,包括第一测试结构和第二测试结构,其中:
所述第一测试结构包括第一横电TE偏振光栅、第二TE偏振光栅和位于所述第一TE偏振光栅、第二TE偏振光栅之间的第一非对称波导;
所述第二测试结构包括第三TE偏振光栅、横磁TM偏振光栅和位于所述第三TE偏振光栅、TM偏振光栅之间的第二非对称波导;所述第一非对称波导和第二非对称波导的长度相同,采用相同的双重曝光工艺制备而成。
2.如权利要求1所述的片上偏振旋转测试装置,其特征在于,所述第一测试结构还包括第一渐变波导和第二渐变波导,其中,
所述第一渐变波导的一端与所述第一TE偏振光栅的输出端相连,所述第一渐变波导的另一端与所述第一非对称波导相连;
所述第二渐变波导的一端与所述第一非对称波导相连,所述第二渐变波导的另一端与第二TE偏振光栅相连。
3.如权利要求1所述的片上偏振旋转测试装置,其特征在于,所述第二测试结构还包括第三渐变波导和第四渐变波导,其中,
所述第三渐变波导的一端与所述第三TE偏振光栅的输出端相连,所述第三渐变波导的另一端与所述第二非对称波导相连;
所述第四渐变波导的一端与所述第二非对称波导相连,所述第四渐变波导的另一端与TM偏振光栅相连。
4.一种片上偏振旋转测试方法,使用如权利要求1~3中任意一项所述的片上偏振旋转测试装置,包括:
分别向所述第一测试结构和第二测试结构输入波长变化的入射光;
获取所述第一测试结构输出的TE-TE透射谱线,以及获取所述第二测试结构输出的TE-TM透射谱线;
根据所述TE-TE透射谱线和TE-TM透射谱线确定偏振转换是否符合预设的要求。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述入射光的波长范围为1525~1575nm,波长分辨率小于0.1nm。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据所述TE-TE透射谱线和TE-TM透射谱线确定偏振转换是否符合预设的要求,包括:
根据所述TE-TE透射谱线确定TE-TE插损震荡幅度,根据所述TE-TE透射谱线和TE-TM透射谱线确定TE-TE与TE-TM之间的串扰;
在所述TE-TE插损震荡幅度小于预设的震荡幅度阈值,所述串扰小于预设的串扰阈值时,确定偏振转换符合预设的要求。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,
所述震荡幅度阈值为0.5dB,所述串扰阈值为-10dB。
8.一种片上偏振旋转测试装置,其特征在于,包括多个测试结构,其中:
所述测试结构包括两个TE偏振光栅和一个非对称波导,所述非对称波导位于所述两个TE偏振光栅之间;
每个测试结构中的非对称波导长度不同,采用相同的双重曝光工艺制备而成。
9.如权利要求8所述的片上偏振旋转测试装置,其特征在于,每个测试结构包括两个渐变波导,所述非对称波导通过所述渐变波导分别与两个TE偏振光栅相连。
10.如权利要求8所述的片上偏振旋转测试装置,其特征在于,
所述多个测试结构中非对称波导的长度范围覆盖一个长度变化周期。
11.一种片上偏振旋转测试方法,使用如权利要求8~10中任意一项所述的片上偏振旋转测试装置,包括:
分别向所述多个测试结构输入相同波长的入射光;
分别获取所述多个测试结构输出的TE-TE透射率;
根据得到的所述TE-TE透射率确定偏振转换是否符合预设的要求。
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