[发明专利]非线性反馈电路及采用其的低噪声放大器在审
申请号: | 201811601417.8 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109450395A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 宋佳颖;蒋一帆 | 申请(专利权)人: | 南京米乐为微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F1/30 |
代理公司: | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人: | 沈振涛 |
地址: | 211111 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低噪声放大器 非线性反馈电路 二极管 高次谐波 非线性特征 负温度特性 温度补偿 增益变化 增益稳定 对消 加成 | ||
1.非线性反馈电路,其特征在于:包括至少一个二极管;当二极管只有一个时,二极管的阴极用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极,二极管的阳极用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极;当二极管有两个或者两个以上时,所有二极管都是串联的,其中,第一个二极管的阳极用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极,第一个二极管的阴极连接第二个二极管的阳极,最后一个二极管的阴极用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极。
2.根据权利要求1所述的非线性反馈电路,其特征在于:还包括第一电阻R1;当二极管只有一个时,第一电阻R1的一端连接二极管的阴极;当二极管有两个或者两个以上时,第一电阻R1的一端连接最后一个二极管的阴极;第一电阻R1的另一端用于接地。
3.根据权利要求1所述的非线性反馈电路,其特征在于:还包括第二电阻R2;当二极管只有一个时,第二电阻R2与二极管串联,第二电阻R2与二极管组成的串联电路的一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极,第二电阻R2与二极管组成的串联电路的另一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极;当二极管有两个或者两个以上时,第二电阻R2与所有二极管均串联,第二电阻R2与所有二极管组成的串联电路的一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极,第二电阻R2与所有二极管组成的串联电路的另一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极。
4.根据权利要求1所述的非线性反馈电路,其特征在于:还包括第三电阻R3和第一电感L1;当二极管只有一个时,第三电阻R3的一端连接二极管的阴极,第一电感L1的一端连接二极管的阳极;当二极管有两个或者两个以上时,第三电阻R3的一端连接最后一个二极管的阴极,第一电感L1的一端连接第一个二极管的阳极;第三电阻R3的另一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极,第一电感L1的另一端用于连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极。
5.根据权利要求1所述的非线性反馈电路,其特征在于:还包括第一电容C1和第二电容C2;当二极管只有一个时,第一电容C1的一端连接二极管的阳极,第二电容C2的一端连接二极管的阴极;当二极管有两个或者两个以上时,第一电容C1的一端连接第一个二极管的阳极,第二电容C2的一端连接最后一个二极管的阴极;第一电容C1的另一端和第二电容C2的另一端均用于接地。
6.采用根据权利要求1所述的非线性反馈电路的低噪声放大器,其特征在于:包括增强型pHemt管Q1,增强型pHemt管Q1的栅极连接至少一个二极管:当二极管只有一个时,二极管的阴极连接增强型pHemt管Q1的栅极,二极管的阳极和增强型pHemt管Q1的漏极均连接电压源DC1的一端;当二极管有两个或者两个以上时,第一个二极管的阳极和增强型pHemt管Q1的漏极均连接电压源DC1的一端,第一个二极管的阴极连接第二个二极管的阳极,最后一个二极管的阴极连接增强型pHemt管Q1的栅极;增强型pHemt管Q1的源极和电压源DC1的另一端均接地。
7.根据权利要求6所述的采用非线性反馈电路的低噪声放大器,其特征在于:还包括第一电阻R1;当二极管只有一个时,第一电阻R1的一端连接二极管的阴极;当二极管有两个或者两个以上时,第一电阻R1的一端连接最后一个二极管的阴极;第一电阻R1的另一端接地。
8.根据权利要求6所述的采用非线性反馈电路的低噪声放大器,其特征在于:还包括第二电阻R2;当二极管只有一个时,第二电阻R2与二极管串联,第二电阻R2与二极管组成的串联电路的一端连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极,第二电阻R2与二极管组成的串联电路的另一端连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极;当二极管有两个或者两个以上时,第二电阻R2与所有二极管均串联,第二电阻R2与所有二极管组成的串联电路的一端连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的漏极,第二电阻R2与所有二极管组成的串联电路的另一端连接低噪声放大器中增强型pHemt管Q1的栅极。
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