[发明专利]一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法

权利要求书

1.一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，其特征在于，包括：

步骤1:测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的最大电流Igemax；

步骤2:根据所述最大电流Igemax在电流温度对照表中查找到对应的温度值即为当前环境的温度；

所述电流温度对照表通过以下步骤获取：

步骤a：记录当前环境温度，测试当前环境下MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的最大电流Igemax；

步骤b:改变当前环境温度，重复所述步骤a得到不同环境下对应的最大电流Igemax;

步骤c:根据环境温度与得到的最大电流Igemax的对应关系，得到电流温度对照表。

2.如权利要求1所述的温度测量方法，其特征在于，所述测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当产生中心时在漏极产生的最大电流Igemax，包括：

设置MOSFET的漏极电压Vd使得漏极的PN结反偏，将MOSFET的衬底接地，将MOSFET的源极悬浮；

采用栅极电压Vg进行扫描，当栅极电压Vg使得栅极底下的沟道进入到耗尽状态时，MOSFE界面陷阱充当产生中心而在漏极产生电流Ige，测量电流Ige的最大值得到最大电流Igemax。

3.如权利要求2所述的温度测量方法，其特征在于，所述采用栅极电压Vg进行扫描，包括：将栅极电压Vg从-0.2V逐渐增大到0.8V。

4.如权利要求3所述的温度测量方法，其特征在于，所述漏极电压Vd的绝对值小于0.3V；

其中若MOSFET为n型，则设置Vd＞0V，若MOSFET为p型，则设置Vd小于0V。

5.如权利要求1所述的温度测量方法，其特征在于，还包括：

根据所述电流温度对照表绘制电流与温度的曲线图；

根据所述最大电流Igemax在所述电流与温度的曲线图中查找得到当前环境的温度。

6.如权利要求1所述的温度测量方法，其特征在于，所述MOSFET为硅或锗材料制成。