[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201811603177.5 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109786526B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 程丁;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、应力释放层、有源层、电子阻挡层和P型层，所述应力释放层包括多个周期交替生长的GaN层和InGaN层，其特征在于，
每个所述InGaN层中的In组分沿所述InGaN层的生长方向先逐渐增大，再逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InGaN层为InxGa1-xN层，0.02≤x≤0.05。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InxGa1-xN层中的In组分由0.02～0.025逐渐增大至0.04～0.05，再由0.04～0.05逐渐减小至0.02～0.025。
4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述应力释放层的周期数为6～10。
5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN层与所述InGaN层的厚度比为3:1。
6.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层；
在所述N型层上生长应力释放层，所述应力释放层包括多个周期交替生长的GaN层和InGaN层，每个所述InGaN层中的In组分沿所述InGaN层的生长方向先逐渐增大，再逐渐减小；
在所述应力释放层上依次生长有源层、电子阻挡层和P型层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述GaN层和所述InGaN层的生长温度相等。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述GaN层和所述InGaN层的生长温度均为750～900℃。
9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述GaN层和所述InGaN层的生长压力相等。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述GaN层和所述InGaN层的生长压力均为100～300torr。
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