[发明专利]半导体器件制作方法在审
| 申请号： | 201811603342.7 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370323A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘超群 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：
提供器件晶圆，所述器件晶圆具有彼此相对的正面和背面，在所述器件晶圆的正面形成有用于露出焊盘的开口区域；
在所述开口区域中形成金属填充层；
在所述器件晶圆正面贴敷芯片粘结薄膜，使所述芯片粘结薄膜覆盖所述金属填充层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述金属填充层的上表面与所述器件晶圆的正面齐平。
3.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述金属填充层的材料包括镍或金。
4.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，通过化学镀或电镀方法在所述开口区域中形成所述金属填充层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，还包括：
贴敷芯片粘结薄膜后，对所述器件晶圆进行切割获得多个芯片。
6.根据权利要求1所述的半导体器件制作方法，其特征在于，所述芯片粘结薄膜包括干膜或芯片连接薄膜。
7.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：
提供载体晶圆或器件晶圆；
在所述载体晶圆或器件晶圆上贴敷芯片粘结薄膜；
提供多个所述芯片，所述芯片正面形成有用于露出焊盘的开口区域，所述开口区域中形成有金属填充层；
将所述芯片正面贴合在所述芯片粘结薄膜上。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述芯片粘结薄膜包括干膜或芯片连接薄膜。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特在于，所述金属填充层的材料包括镍或金。
10.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括
提供载体晶圆或器件晶圆；
提供多个芯片，所述芯片正面形成有用于露出焊盘的开口区域，所述开口区域中形成有金属填充层；
在每个所述芯片正面上贴敷芯片粘结膜；
将所述芯片贴敷在所述载体晶圆上。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述芯片粘结薄膜包括干膜或芯片连接薄膜。
12.根据权利要求10所述的制作方法，其特在于，所述金属填充层的材料包括镍或金。
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