[发明专利]基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器

权利要求书

1.一种基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器，包括衬底(1)、传输层(2)、钙钛矿层(3)、金属电极(4)；其特征在于，所述衬底(1)上依次制备传输层(2)和钙钛矿层(3)组成异质结；所述传输层(2)采用二维材料；所述的钙钛矿层(3)采用ABX₃型钙钛矿材料。

2.根据权利要求1所述的基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器，其特征在于，所述的衬底(1)采用硅衬底或蓝宝石衬底中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器，其特征在于，所述的二维材料是指，石墨烯Graphene、黒磷中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器，其特征在于，所述的ABX₃型钙钛矿材料的组分如下：

A采用MA⁺、FA⁺、Cs⁺、Rb⁺、(Cs_xMA_1-x)⁺、(Cs_xFA_1-x)⁺、(FA_xMA_1-x)⁺、(Cs_xFA_yMA_1-x-y)⁺中的任意一种离子；

B采用Pb²⁺、Sn²⁺、Ge²⁺、Pb_1-xSn_x²⁺中的任意一种离子；

X采用I^-、Br^-、Cl^-、(Br_1-xI_x)^-、(I_1-xCl_x)^-、(Br_1-xCl_x)^-、(I_1-x-yBr_xCl_y)^-中的任意一种离子。

5.根据权利要求1所述的基于二维材料/钙钛矿异质结的光电探测器，其特征在于，所述的钙钛矿层(3)的厚度为200nm～400nm。