[发明专利]一种用于P型单晶PERC电池的背面钝化膜及背面镀膜工艺

权利要求书

1.一种用于P型单晶PERC电池的背面钝化膜，其包括PERC电池背面由内向外依次沉积的氧化铝层、SiN_x层和SiO_XN_Y层。

2.根据权利要求1所述的背面钝化膜，所述SiN_x层的厚度为40-75nm。

3.根据权利要求1所述的背面钝化膜，所述SiO_XN_Y层的厚度为50-150nm。

4.根据权利要求3所述的背面钝化膜，所述SiO_XN_Y层的厚度为85-130nm。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的背面钝化膜，所述SiO_XN_Y层中的X,Y分别取值范围是：X＝1-2；Y＝2-4。

6.一种如权利要求1-5中任一项所述的背面钝化膜的镀膜工艺，其包括如下步骤：

首先采用ALD沉积法在单晶P型硅片背面镀一层Al₂O₃膜，然后再用PECVD的方法在硅片背面Al₂O₃膜上面沉积SiN_x层和SiO_XN_Y层。

7.根据权利要求6所述的镀膜工艺，所述沉积SiN_x层和SiO_XN_Y层包括如下步骤：

1)由硅烷和氨气在400-500℃条件下沉积50-300s，

2)由硅烷和氨气在400-500℃条件下沉积100-400s，

3)由硅烷、氨气和笑气在400-500℃条件下沉积50-300s。

8.根据权利要求7所述的镀膜工艺，步骤1)中硅烷和氨气的体积比为1:(2-8)。

9.根据权利要求7所述的镀膜工艺，步骤3)中硅烷、氨气、笑气的体积比为1:(1-5):(7-15)。

10.一种含有权利要求1-5中任一项所述的背面钝化膜的单晶PERC电池的制备工艺包括如下步骤：

制绒、扩散、刻蚀、正面热氧化、背面ALD制备氧化铝层、背面PEVCD沉积SiN_x层和SiO_XN_Y层、正面PEVCD沉积SiN_x层、激光开槽、丝网印刷。