[发明专利]硅异质结太阳能电池及其背场结构和背场结构的制备方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳能电池背场结构，包括：

p型硅基底，所述p型硅基底具有背场面；

形成在所述背场面上的第一本征钝化层；

形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；

其特征在于，进一步包括形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；

所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。

2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述p型硅基底为p型晶硅基底，所述第一本征钝化层为本征硅基薄膜，所述p型硅掺杂层为p型硅基薄膜。

3.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述吸附原子层的厚度为0.5nm至1.5nm。

4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述吸附原子的泡林电负性小于硅的泡林电负性，并且所述吸附原子的共价半径大于硅的共价半径。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述吸附原子为非过渡金属的原子。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述吸附原子选自元素周期表中I、II、III和IV主族元素的原子中的任意一种或更多种。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述吸附原子选自钾、铷、铯、镁、钙、锶、钡、铝、镓、铟和锗的原子中的任意一种或更多种。

8.一种制备硅异质结太阳能电池背场结构的方法，包括：

提供p型硅基底，所述p型硅基底具有背场面；

在所述背场面上形成第一本征钝化层；

在所述第一本征钝化层上形成p型硅掺杂层；

其特征在于，进一步包括：在所述p型硅掺杂层上沉积可与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子，以在所述p型硅掺杂层上形成吸附原子层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述p型硅掺杂层上沉积可与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子，以在所述p型硅掺杂层上形成吸附原子层的步骤包括：

采用真空蒸镀法、电子束蒸发法、分子束外延法或离子束辅助蒸发法在所述p型硅掺杂层上沉积所述吸附原子。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述p型硅掺杂层上沉积所述吸附原子之后，对所述吸附原子层进行低温热处理。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，采用真空蒸镀法在所述p型硅掺杂层上形成所述吸附原子层的步骤包括：

在真空条件下，将单质热蒸发源加热至气化或将化合物热蒸发源加热至分解出待沉积吸附原子对应的气态的单质，从而在所述p型硅掺杂层上沉积所述吸附原子，形成所述吸附原子层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，采用真空蒸镀法在所述p型硅掺杂层上形成所述吸附原子层时的真空度为1×10^-8Pa至1×10^-5Pa。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述低温热处理的温度为150℃至200℃。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述低温热处理的处理时间为1分钟至5分钟。