[发明专利]单晶压电薄膜体声波谐振器及其形成方法

权利要求书

1.一种单晶压电薄膜体声波谐振器的形成方法，其特征在于，包括：

在供体基底之上形成压电结构和底电极，其中所述底电极在所述压电结构之上；

在转移基底的顶表面形成空腔；

将所述压电结构和所述底电极脱离所述供体基底并且倒置转移到所述转移基底之上，并且其中，倒置转移完毕后所述底电极在所述转移基底之上并且覆盖所述空腔，所述压电结构在所述底电极之上；

在所述压电结构之上形成顶电极；

所述在供体基底之上形成压电结构和底电极的步骤包括：提供供体基底；在供体基底之上形成粘附层；在所述粘附层之上形成单晶压电薄膜层；在所述单晶压电薄膜层之上形成底电极层；将所述单晶压电薄膜层和所述底电极层图形化，以得到所述压电结构和所述底电极；

所述将所述压电结构和所述底电极脱离所述供体基底并且倒置转移到所述转移基底之上的步骤包括：刻蚀所述粘附层以形成锚结构；将第一软印章与所述压电结构接触以粘住所述压电结构和所述底电极，断开所述锚结构以使所述压电结构和所述底电极与所述供体基底分离；将第二软印章与所述底电极接触以粘住所述底电极和所述压电结构，然后将底电极和所述压电结构与所述第一软印章分离；利用第二软印章将所述压电结构和所述底电极压印在所述底电极之上并且对准覆盖所述空腔；

或者，所述将所述压电结构和所述底电极脱离所述供体基底并且倒置转移到所述转移基底之上的步骤包括：将所述供体基底、所述粘附层、所述压电结构和所述底电极倒置，然后键合到所述转移基底之上并且对准覆盖所述空腔；在所述供体基底上加工出通孔；利用所述通孔采用湿法腐蚀工艺去除所述粘附层，以使所述压电结构与所述供体基底分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压电结构的材料为：单晶氮化铝、单晶铌酸锂、单晶锆钛酸铅、单晶铌酸钾、或者单晶钽酸锂。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述顶电极的材料为如下金属或者它们的合金：金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、或者砷掺杂金。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底电极的材料为如下金属或者它们的合金：金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、或者砷掺杂金。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述供体基底的材料为硅或者铌酸锂，所述粘附层的材料为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述转移基底的材料为硅、玻璃、陶瓷、金刚石、碳化硅、聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚碳酸酯、涤纶树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚醚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、聚乙烯醇或者含氟聚合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一软印章和第二软印章的材料为二甲基硅氧烷。

8.一种单晶压电薄膜体声波谐振器，其特征在于，该单晶压电薄膜体声波谐振器是通过权利要求1至7中任一项所述的方法形成的。