[发明专利]一种背光半导体光电类芯片及其互连方法在审
| 申请号： | 201811604374.9 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109599445A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 黄海华;陈剑;路小龙;刘期斌;张伟;姚超;向秋澄;孔繁林;寇先果;呙长冬;邓世杰;袁菲 | 申请（专利权）人： | 西南技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘瑞东 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垫片 背电极 芯片 半导体 背光 互连 通孔 导电银胶 引线焊接 引线框架 树脂胶 灌注 印制电路板 读出电路 固化定型 光电芯片 通孔侧壁 完成信号 中心处 侧壁 单管 导通 金层 涂敷 银浆 固化 制备 架空 架桥 采集 | ||
1.一种背光半导体光电类芯片，其特征在于，包括垫片(1)、芯片(5)、背电极(6)、导电银胶(7)和引线(8)；
垫片(1)中心处设有通孔(2)；在通孔(2)侧壁以及垫片(1)一侧上下两面设有导通的金层(3)作为引线框架；
芯片(5)通过树脂胶(4)粘接到垫片(1)上且侧壁涂敷树脂胶(4)；
背电极(6)固定在芯片(5)上且朝向通孔(2)；
导电银胶(7)灌注在通孔(2)内且固化定型；
将背电极(6)过渡到垫片或印制电路板上。
引线(8)焊接在引线框架上。
2.根据权利要求1所述背光半导体光电类芯片，其特征在于，所述金层(3)厚度3～7μm。
3.根据权利要求1所述背光半导体光电类芯片，其特征在于，所述树脂胶(4)为环氧树脂胶。
4.一种背光半导体光电类芯片的互连方法，其特征在于，步骤如下：
S1，制作一架桥型的垫片(1)，在垫片中心处制备通孔(2)；在通孔(2)侧壁以及垫片(1)一侧上下两面制备相互导通的金层(3)作为引线框架；
S2，通过树脂胶(4)将芯片(5)粘接到垫片(1)上，背电极(6)朝向垫片通孔(2)，并在侧壁涂敷树脂胶(4)；
S3，将粘接好芯片(5)的垫片(1)倒置，在通孔(2)内灌注导电银胶(7)，固化定型；
S4，将背电极(6)过渡到垫片(1)或印制电路板上。
5.根据权利要求4所述背光半导体光电类芯片的互连方法，其特征在于，所述垫片(1)大小为2mm×2mm×0.2mm，通孔(2)直径150μm。
6.根据权利要求4所述背光半导体光电类芯片的互连方法，其特征在于，所述金层(3)厚度3～7μm。
7.根据权利要求4所述背光半导体光电类芯片的互连方法，其特征在于，所述树脂胶(4)为环氧树脂胶。
8.根据权利要求4所述背光半导体光电类芯片的互连方法，其特征在于，步骤S3中，固化定型时150～179℃下固化3～4小时。
9.根据权利要求4所述背光半导体光电类芯片的互连方法，其特征在于，步骤S4中，通过在垫片(1)正面引线框架上焊接引线(8)的方式将背电极(6)过渡到垫片(1)或印制电路板上。
10.根据权利要求4所述背光半导体光电类芯片的互连方法，其特征在于，步骤S4中，通过在垫片(1)正面引线框架上植球的方式将背电极(6)过渡到垫片或印制电路板上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
