[发明专利]晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供集成有第一芯片的器件晶圆，所述器件晶圆包括集成有所述第一芯片的第一正面以及与所述第一正面相背的第一背面，所述器件晶圆的第一正面上键合有第二芯片，所述第二芯片与所述器件晶圆通过熔融键合工艺实现键合，相邻所述第二芯片与所述器件晶圆之间围成塑封区；第二芯片与相对应的第一芯片上下一一对应，且第二芯片和第一芯片在器件晶圆上的投影相互错开；塑封区具有相对的第一边界和第二边界；

形成所述塑封区后，进行选择性喷涂处理，向所述塑封区喷洒塑封料，且对所述塑封料进行固化处理，形成位于所述塑封区的塑封层，所述塑封层覆盖所述器件晶圆，且覆盖所述第二芯片的侧壁；

所述塑封层的形成方法包括：获取所述器件晶圆上的塑封区的位置信息；基于获取的所述位置信息，进行选择性喷涂处理，在所述第一边界且距离所述第一边界第一距离时，开始喷洒塑封料，在距离所述第二边界第二距离且未超过所述第二边界时，结束向塑封区喷洒塑封料；

形成塑封层后，在器件晶圆内形成与第一芯片电连接的第一互连结构、以及与第二芯片电连接的第二互连结构。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述选择性喷涂处理的步骤包括：提供可移动喷头；

使所述喷头在所述器件晶圆上方移动，当所述喷头移动经过所述塑封区上方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

3.如权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述喷头移动经过同一塑封区上方至少两次，以形成所述塑封层；且所述喷头前一次移动经过所述塑封区上方时的移动路径具有第一方向，所述喷头后一次移动经过同一塑封区上方时的移动路径具有第二方向，所述第二方向与第一方向不同。

4.如权利要求2或3所述的封装方法，其特征在于，所述第二芯片在所述器件晶圆上呈沿X方向和Y方向的阵列式分布，所述阵列式分布的第二芯片与器件晶圆之间围成若干行塑封区和若干列塑封区；所述喷头的移动路径具有的方向包括：+X方向、-X方向、+Y方向或者-Y方向中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的封装方法，其特征在于，所述喷头的移动路径具有的方向还包括：与X方向呈45°的倾斜方向或者与Y方向呈45°的倾斜方向。

6.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，获取所述器件晶圆上的塑封区的位置信息的方法包括：基于预设位置信息将所述第二芯片置于所述器件晶圆上，将所述预设位置信息作为所述塑封区的位置信息；或者，在将所述第二芯片置于所述器件晶圆上后，对所述器件晶圆表面进行光照射，采集经器件晶圆表面反射的光信息，获取所述塑封区的位置信息。

7.如权利要求2所述封装方法，其特征在于，基于获取的所述位置信息，进行所述选择性喷涂处理的方法包括：所述喷头在所述器件晶圆上方移动的同时，即时获取所述喷头在所述器件晶圆上的实时位置；基于所述实时位置和获取的位置信息，控制所述喷头在所述器件晶圆上移动的过程中向所述塑封区喷洒塑封料。

8.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述选择性喷涂处理的步骤包括：提供喷头和可移动载台；

将所述器件晶圆置于所述可移动载台上，使所述器件晶圆在喷头下方移动，当所述塑封区移动至所述喷头下方时，所述喷头向所述塑封区喷洒塑封料。

9.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述选择性喷涂处理结束后，进行所述固化处理。

10.如权利要求9所述的封装方法，其特征在于，在进行所述固化处理之前，还包括：在进行所述选择性喷涂处理的过程中，对位于所述塑封区的塑封料进行加热处理，且所述加热处理的工艺温度低于所述固化处理的工艺温度。

11.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装方法还包括：在所述第一正面形成第一氧化层；所述第二芯片具有待键合面，在所述待键合面上形成第二氧化层；通过所述第一氧化层和第二氧化层进行熔融键合工艺。