[发明专利]利用原子层沉积制备碳洋葱/氧化钒纳米复合材料的方法在审

专利信息
申请号: 201811604662.4 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN109841421A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 谢春艳
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/86
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315000 浙江省宁波市镇海*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 碳洋葱 复合材料 纳米复合材料 氧化钒纳米 氧化钒 制备 充放电循环稳定性 原子层沉积技术 工艺技术领域 合成复合材料 纳米材料制备 三维多孔结构 电化学性能 原子层沉积 锂离子电池 均匀负载 原料配比 质量比 赝电容 堆叠 能耗 合成 调控 应用
【权利要求书】:

1.一种利用原子层沉积制备碳洋葱/氧化钒纳米复合材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一、采用电弧放电法制备平均粒径为10nm的碳洋葱,置于马弗炉中于350℃灼烧2h,然后用稀盐酸浸泡5h,加入去离子水反复离心至上清液接近中性后干燥得到纯化碳洋葱;

步骤二、将导电玻璃基片分别用无水乙醇和去离子水超声清洗各15min后用氮气吹干,采用刮刀法将步骤一所述的纯化碳洋葱和含聚四氟乙烯的有机粘结剂刮压涂覆在导电玻璃上,制成厚约15μm的碳洋葱薄膜;

步骤三、采用定制手套箱保护的原子层沉积系统实现在步骤二所述碳洋葱薄膜表面沉积氧化钒,沉积前氧等离子体处理薄膜表面5min,之后分别采用三异丙醇氧钒作为金属有机前驱体,水作为反应气,氮气作为冲洗气,沉积温度为190℃。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤一中电弧放电法按以下步骤进行:

1)清理放电室和阴极,安装阳极石墨棒令其与阴极石墨块接触;

2)打开真空泵抽真空0.5h,然后打开电焊机预热石墨棒继续抽真空,并同时打开冷凝水进行冷却,约0.5h之后关闭真空泵充入少量氦气,再次抽真空并如此重复三次。然后关闭真空泵充入一定量的氦气;

3)打开电焊机,调节电流值并调节步进器使短接的阴阳级缓慢断开,接触点立刻红热并气化产生离子体,随即产生电弧;

4)在阳极石墨棒蒸发过程中,随时调整步进器使阳极石墨棒匀速向阴极移动,并保持固定的放电距离,直到阳极石墨棒完全蒸发后停止放电过程,关闭电焊机后充分冷却,收集真空室内的烟炱。

3.根据权利要求1或2中所述的电弧放电法,其特征在于,其工艺参数为:通入200~450Torr氦气,放电电压为20~35V、电流为85~120A,阴阳极放电间距为15~20mm,电弧放电自持续时间约为1h。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤一中稀盐酸浓度为0.1~2mol/L。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤二中碳洋葱和聚四氟乙烯质量比为9:1。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤三中氧等离子体处理的目的在于在碳洋葱表面引入含氧官能团,使得所述的三异丙醇氧钒吸附更加均匀。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤三中沉积工艺为:三异丙醇氧钒吸附时间为1,氮气吸附时间为10,水吸附时间为1,氮气吸附时间为10。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于谢春艳,未经谢春艳许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811604662.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top