[发明专利]一种改性的光伏组件用背板及包含其的光伏组件在审
申请号: | 201811605510.6 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109713070A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 赵圣云;沈伟峰 | 申请(专利权)人: | 盐城大丰阿特斯阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;C23C16/513 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 224100 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光伏组件 背板 改性 耐磨性 绝缘性 有机层 含氟 耐酸碱腐蚀性 氟树脂涂层 化学稳定性 聚烯烃薄膜 无机层 阻隔性 水氧 阻隔 赋予 | ||
1.一种改性的光伏组件用背板,所述改性的光伏组件用背板包括PET基板,设置在所述PET基板一侧的含氟有机层,设置在所述PET基板另一侧的涂层,其特征在于,所述含氟有机层远离PET基板一侧设置无机物层。
2.如权利要求1所述的改性的光伏组件用背板,其特征在于,所述无机物层的无机物包括二氧化硅、二氧化锆、氮化硅中的任意1种或至少2种的组合;
优选地,所述无机物的平均粒径为20~35nm。
3.如权利要求1或2所述的改性的光伏组件用背板,其特征在于,所述无机物层的厚度为20~200μm。
4.如权利要求1~3之一所述的改性的光伏组件用背板,其特征在于,所述含氟有机层包括PVF层、PVDF层、ETFE层或ECTFE层中的任意一种或至少两种的组合。
5.如权利要求1~4之一所述的改性的光伏组件用背板,其特征在于,所述背板的透水率低为0.1~0.5g/m2·day。
6.如权利要求1~5之一所述的改性的光伏组件用背板,其特征在于,所述改性的光伏组件用背板通过如下方法制备:
(1)选用未改性的光伏组件用背板,所述未改性的光伏组件用背板的表层为含氟有机层;
(2)利用等离子体增强化学气相沉积在所述未改性的光伏组件用背板的含氟有机层的暴露面沉积含氟有机层,得到改性的光伏组件用背板。
7.如权利要求6所述的改性的光伏组件用背板,其特征在于,所述等离子体增强化学气相沉积为射频板式等离子体增强化学气相沉积;
优选地,所述射频板式等离子体增强化学气相沉积的背板为石墨背板;
优选地,所述射频板式等离子体增强化学气相沉积的衬底温度为300~350℃,沉积速度为0.6~4nm/s;
优选地,所述射频板式等离子体增强化学气相沉积的射频频率为13.56MHz;
优选地,所述无机物层为氮化硅,所述射频板式等离子体增强化学气相沉积的气体为氮化硅和氨气的混合气体;
优选地,所述氮化硅的流量为0.6~4L/min;
优选地,所述氨气的流量为4.5~30L/min;
优选地,所述无机物层为二氧化硅,所述射频板式等离子体增强化学气相沉积的气体为硅烷气和氧气;
优选地,所述无机物层包括二氧化锆,所述射频板式等离子体增强化学气相沉积的气体为携带氯化锆的氦气和氧气;
优选地,所述射频板式等离子体增强化学气相沉积的腔体内部的压力为0.20MPa~0.45MPa。
8.一种光伏组件,其特征在于,所述光伏组件的背板为权利要求1~7之一所述的改性的光伏组件用背板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的