[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，所述半导体封装方法包括：

将半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上；

在所述引线框架的第一引脚上设置第一导电粘接层，在所述半导体芯片的源极上设置第二导电粘接层；

将导电金属片的一端通过所述第一导电粘接层与所述第一引脚相连接，将所述导电金属片的另一端通过所述第二导电粘接层与所述半导体芯片的源极相连接；

将所述半导体芯片的栅极与所述引线框架的第二引脚通过键合引线相连接；

包封所述半导体芯片、所述导电金属片、所述键合引线和部分所述引线框架。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述将半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上的步骤，包括：

在所述引线框架的主体上设置第三导电粘接层；

将所述半导体芯片的漏极贴合于所述第三导电粘接层上。

3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述将半导体芯片的漏极设置于引线框架的主体上步骤前，还包括：

根据所述半导体芯片的尺寸定制所述引线框架。

4.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述根据所述半导体芯片的尺寸定制所述引线框架的步骤，包括：

在制所述引线框架时，将所述引线框架的第一引脚的表面积设定为大于所述引线框架的第二引脚的表面积。

5.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述根据所述半导体芯片的尺寸定制所述引线框架的步骤，包括：

在制所述引线框架时，将所述引线框架的第一引脚和第二引脚通过向上倾斜的过渡段与所述引线框架的主体相连接，以使得所述第一导电粘接层和所述第二导电粘接层位于同一平面上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，

在所述导电金属片与所述键合引线均与所述半导体芯片相连接后，所述导电金属片与所述键合引线在所述半导体芯片的表面所在平面上的投影无重合区域。

7.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，

所述第一导电粘接层为以下任一或组合：导电胶、钎焊材料或共晶焊材料；和/或

所述第二导电粘接层为以下任一或组合：导电胶、钎焊材料或共晶焊材料；和/或

所述第三导电粘接层为以下任一或组合：导电胶、钎焊材料或共晶焊材料。

8.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：

引线框架；

半导体芯片，所述半导体芯片的漏极设置于所述引线框架的主体上，所述半导体芯片的外周不超出所述引线框架的主体；

第一导电粘接层及第二导电粘接层，分别设置在所述引线框架的第一引脚及所述半导体芯片的源极上；

导电金属片，所述导电金属片的一端通过所述第一导电粘接层与所述第一引脚相连接，将所述导电金属片的另一端通过所述第二导电粘接层与所述半导体芯片的源极相连接。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括：

键合引线，所述键合引线的一端与所述半导体芯片的栅极相连接，所述键合引线的另一端与所述引线框架的第二引脚相连接；

封装壳体，所述封装壳体将部分所述引线框架、所述半导体芯片、所述导电金属片和所述键合引线进行封装。

10.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构还包括：

第三导电粘接层，所述第三导电粘接层设置在所述引线框架的主体与所述半导体芯片之间。

11.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，

所述引线框架的第一引脚的表面积大于所述引线框架的第二引脚的表面积。