[发明专利]一种温度补偿的CMOS张弛振荡器电路

权利要求书

1.一种温度补偿的CMOS张弛振荡器电路，其特征在于：所述电路包括RC充放电网络（1）、迟滞比较器（2）、PD控制模块（3）、缓冲器（4）、二分频（5）；其中，RC充放电网络（1）包含第一电阻、第二电阻、电容，缓冲器（4）包含第一反相器、第二反相器；第一电阻的一端与PD控制模块（3）的输出端、缓冲器（4）的输入端相连接，第一电阻的另一端与电容、迟滞比较器（2）的输入端相连接，第二电阻的一端与电容相连接, 第二电阻的另一端与缓冲器（4）的第一反相器的输出端以及第二反相器的输入端、二分频（5）的输入端相连接；迟滞比较器（2）的输出端与PD控制模块（3）的第一输入端相连接；PD控制模块（3）的输出端与缓冲器（4）的输入端相互连接，PD控制模块（3）的第二输入端与外部控制信号PD相连接；缓冲器（4）的输出端与二分频（5）的输入端相连接；所述迟滞比较器（2）、PD控制模块（3）、缓冲器（4）中的所有MOS管采用级联方式连接。

2.如权利要求1所述的一种温度补偿的CMOS张弛振荡器电路，其特征在于：第一电阻是具有低负温度系数的p型多晶硅电阻（非硅化）、N型多晶硅电阻（非硅化）、或高阻多晶硅电阻，第二电阻是具有低负温度系数p型多晶硅电阻（非硅化）、或具有正温度系数的扩散电阻。

3.如权利要求1所述的一种温度补偿的CMOS张弛振荡器电路，其特征在于：电容为由第零电容、第一电容、第一开关、第二电容、第二开关、第三电容、第三开关、第四电容、第四开关组成的4位电容修调阵列，第一电阻与第零电容一端、第一开关的一端、第二开关的一端、第三开关的一端、第四开关的一端、迟滞比较器（2）的输入端相连接，第一开关的另一端与第一电容的一端相连接，第二开关的另一端与第二电容的一端相连接，第三开关的另一端与第三电容的一端相连接，第四开关的另一端与第四电容的一端相连接，第零电容另一端与第一电容的另一端、第二电容的另一端、第三电容的另一端、第四电容的另一端、第二电阻的一端相连接。

4.如权利要求1所述的一种温度补偿的CMOS张弛振荡器电路，其特征在于：所述迟滞比较器（2）含有第三电阻、第四电阻、第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第五P型MOS管、第六P型MOS管、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管，第三电阻与第四电阻的比值控制RC充放电网络（1）输出信号的翻转点电平，并输出高低电平信号给到PD控制模块（3）的第一输入端；迟滞比较器（2）电路按以下方式连接：第三电阻的一端与RC充放电网络（1）的输出端相连接，第三电阻的另一端与第四电阻的一端、第一P型MOS管的栅极、第二P型MOS管的栅极、第三P型MOS管的栅极、第一N型MOS管的栅极、第二N型MOS管的栅极、第三N型MOS管的栅极相连接，第一P型MOS管的源极与电源相连接，第一P型MOS管的漏极与第二P型MOS管的源极相连接，第二P型MOS管的漏极与第三P型MOS管的源极相连接，第三P型MOS管的漏极与第一N型MOS管的漏极、第四P型MOS管的栅极、第五P型MOS管的栅极、第六P型MOS管的栅极相连接，第一N型MOS管的源极与第二N型MOS管的漏极相连接，第二N型MOS管的源极与第三N型MOS管的漏极相连接，第三N型MOS管的漏极与地相连接，第四P型MOS管的源极与电源相连接，第四P型MOS管的漏极与第五P型MOS管的源极相连接，第五P型MOS管的漏极与第六P型MOS管的源极相连接，第六P型MOS管的漏极与第四N型MOS管的漏极、PD控制模块（3）的输入端相连接，第四N型MOS管的源极与第五N型MOS管的漏极相连接，第五N型MOS管的源极与第六N型MOS管的漏极相连接，第六N型MOS管的源极与地相连接。