[发明专利]等离子体处理装置及用于该处理装置的基片支座

权利要求书

1.一种基片支座，其特征在于，包含：基座，依次设置在所述基座上的加热层和静电吸盘，以及设置在所述加热层和静电吸盘之间的导热层；

所述静电吸盘用于夹持基片；

所述加热层用于对置于所述静电吸盘上的基片进行温控；

所述导热层包括分布在所述加热层上的至少一个沟槽，以及灌封在所述沟槽内的导热金属流体，所述导热金属的热导率大于50W/mK；所述导热金属流体在所述沟槽内流动，使得基片支座具有均一的温度。

2.如权利要求1所述的基片支座，其特征在于，

所述沟槽由熔点高于所述导热金属的金属材料和/或陶瓷材料制成。

3.如权利要求1所述的基片支座，其特征在于，

所述导热金属的材料为汞、钠、钾、钙、锂、镓、铟、铋、锡、铅和锑中的一种或其中的几种金属构成的合金。

4.如权利要求1所述的基片支座，其特征在于，所述加热层设有若干个加热区，每一所述加热区通过独立的控制电源控制加热，所述导热层覆盖所述加热层。

5.如权利要求4所述的基片支座，其特征在于，所述加热层为圆形盘，每一所述加热区相对于所述圆形盘的中心同心设置于不同的径向距离。

6.如权利要求5所述的基片支座，其特征在于，所述导热层包括多个独立的子导热区，每个子导热区与下方的至少一个独立可控的加热区位置对应。

7.如权利要求6所述的基片支座，其特征在于，所述沟槽为与所述加热层的中心同心设置的螺旋形或多个环形。

8.如权利要求1～7中任意一项所述的基片支座，其特征在于，所述基座上还设有若干个通孔，所述通孔贯穿所述加热层，以及位于所述加热层上的导热层；所述沟槽不经过所述通孔。

9.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：

反应腔，设置在所述反应腔内部下方的如权利要求1～8中任意一项所述的基片支座。