[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811607166.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109473472A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 陈雨雁;周炳;许新佳;赵承杰;夏凯 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 石墨烯层 金属层 石墨烯 衬底层 电子迁移率 高导热性 高温合金 金半接触 欧姆接触 散热性能 功函数 可调的 垫层 制造 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
衬底层；
位于所述衬底层上的GaN层；
位于所述GaN层上的AlGaN层；
位于所述AlGaN层上的石墨烯层；
位于所述石墨烯层上的金属层，所述金属层通过所述石墨烯层与所述AlGaN层形成金半接触的欧姆连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底层为Si衬底或蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述AlGaN层被设计为掺杂型的AlxGa1-xN层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层包括Ti层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层还包括依次位于所述Ti层上的Ni层和Au层。
6.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：
S1、提供衬底层，在所述衬底层上依次生长GaN层、AlGaN层；
S2、直接在AlGaN层表面用CVD法生长石墨烯层；
S3、通过电子束蒸发或磁控溅射的方式在石墨烯层上制作金属层；
S4、通过光刻定义电极图形，并去除多余金属和石墨烯层；
S5、对制作的金属层进行真空退火。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，步骤S5中，退火温度为500～600℃，时间为1.5～10min。
8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：
S1、提供衬底层，在所述衬底层上依次生长GaN层、AlGaN层；
S2、采用CVD法在Cu衬底上淀积石墨烯层，并转移至AlGaN层的表面；
S3、通过电子束蒸发或磁控溅射的方式在石墨烯层上制作金属层；
S4、通过光刻定义电极图形，并去除多余金属和石墨烯层；
S5、对制作的金属层进行真空退火。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，步骤S5中，退火温度为500～600℃，时间为1.5～10min。
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