[发明专利]新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构

权利要求书

1.新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构，其特征在于为周期性结构，每个结构单元包括两个二维吸波面、一个三维传输线结构以及一个金属反射面；

所述的两个二维吸波面包括上下设置的第一吸波面和第二吸波面，均为周期性分布结构单元，每个单元无缝排布；第一吸波面和第二吸波面均为中心对称结构，该中心位于整个结构单元的中心线；

所述的第一吸波面包括第一介质基片，第一、第二金属线,以及第一、二集总电阻；其中第一金属线镀在第一介质基片上表面，第二金属线中间段镀在第一介质基片下表面，其他段镀在第一介质基片上表面，且第一金属线与第二金属线中间段垂直设置，垂直交叉点位于整个结构单元的中心线；第一集总电阻焊接在第一介质基片上表面第一金属线中心位置上的，第二集总电阻焊接在第二金属线中间段中心位置，该中心位于整个结构单元的中心线；第二集总电阻两端分别通过第一、第二金属化过孔与第二金属线位于第一介质基片上表面的线段相连；

所述的第二吸波面包括与第一介质基片平行设置的第三介质基片，分别镀在第三介质基片上下表面且呈互相垂直布置的第七、第八金属线，以及分别焊接在第七、第八金属线中心位置上的第三、第四集总电阻，该中心位于整个结构单元的中心线；

所述的第三介质基片四周边沿中心处挖槽，槽为半圆形，第七、第八金属线靠近挖槽端为半圆形，并将槽围合；

所述的三维传输线结构设置在两个二维吸波面间，为中心对称结构，该中心位于整个结构单元的中心线；具体包括设置在吸波面侧面的第二介质基片以及镀在第二介质基片内侧四周的第三、四、五、六金属线；第二介质基片上端与第一介质基片接触，另一端穿过第三介质基片挖槽与设置在第三介质基片下方的金属反射面接触；其中第二介质基片不与第三介质基片相接触，且留有空隙；第三、四、五、六金属线均设置在第二介质基片的内侧中心处；第二介质基片为T形结构，横臂设置在第一介质基片和第三介质基片间，且上端与第一介质基片接触；纵臂穿过第三介质基片挖槽与设置在第三介质基片下方的金属反射面接触；

所述的第一吸波面与金属反射面之间的距离为0.4λ₀～0.6λ₀；

所述的第三、四、五、六金属线的长度为其中表示吸波带中心频率对应的介质中的波长，λ₀表示吸波带中心频率对应的自由空间波长，ε₂表示介质基片的介电常数；

所述的三维传输线结构的第三、四、五、六金属线一端与第一吸波面上表面的第一、二金属线连接；

所述的第一吸波面、三维传输线结构、第二吸波面和金属反射面的中心位于同一竖直直线上，该直线即为整个结构单元的中心线；

所述的第二、三介质基板、金属反射面围合成开放式空气腔，该开放式空气腔决定了中心频率附近的吸波效果，其厚度为0.2λ₀～0.3λ₀。

2.如权利要求1所述的新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构，其特征在于所述的第一、第二集总电阻的阻值相同。

3.如权利要求1所述的新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构，其特征在于所述的第七、第八金属线靠近挖槽端与位于同一挖槽内第二介质基片内侧金属线的最近距离为0.1毫米。

4.如权利要求1所述的新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构，其特征在于第三介质基片挖槽面积要求能够使得第二介质基片的纵臂能够顺利穿过。

5.如权利要求1所述的新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构，其特征在于所述的第三、第四集总电阻的阻值相同。

6.如权利要求1所述的新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构，其特征在于第二介质基片不与第三介质基片相接触，且留有大于0.5毫米空隙，防止与三维传输线结构相冲突。

7.如权利要求1所述的新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构，其特征在于所述的第一吸波面与金属反射面之间的距离为0.5λ₀。

8.如权利要求1所述的新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构，其特征在于所述的第三、四、五、六金属线的长度为

9.如权利要求1所述的新型二/三维结合双极化超宽带吸波结构，其特征在于所述的第二、三介质基板、金属反射面围合成开放式空气腔，该开放式空气腔决定了中心频率附近的吸波效果，其厚度为0.25λ₀。